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APTGT300DA170G 发布时间 时间:2025/8/11 19:38:05 查看 阅读:32

APTGT300DA170G 是一款由 Microsemi(现为 Microchip Technology)生产的 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,广泛应用于高功率电子设备中,例如工业电机驱动、电力转换系统和可再生能源系统。该模块的设计针对高效率和高可靠性,具备出色的导通和开关性能,能够在高电压和大电流条件下稳定工作。

参数

类型:IGBT模块
  最大集电极-发射极电压(VCES):1700V
  额定集电极电流(IC):300A
  工作温度范围:-50°C 至 +150°C
  封装类型:双列直插式(Dual-in-line)
  短路耐受能力:有
  绝缘等级:符合UL标准

特性

APTGT300DA170G 采用先进的沟道型 IGBT 技术,具有低导通压降和快速开关特性,从而提高了整体系统的效率。其内部设计包括优化的芯片布局和先进的封装技术,以提高热性能和机械稳定性。此外,该模块具备优异的短路保护能力,能够在极端工作条件下提供更高的可靠性。模块的封装材料符合 RoHS 标准,并具有良好的绝缘性能,适用于多种高电压应用环境。
  该器件还集成了一个反并联二极管,用于实现能量回馈功能,进一步增强了其在变频器、逆变器等应用中的适用性。由于其高功率密度和紧凑设计,APTGT300DA170G 在空间受限的应用中也表现出色。

应用

APTGT300DA170G 主要用于需要高功率密度和高可靠性的电力电子系统中,如工业变频器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电焊机、电动汽车充电设备以及铁路牵引系统等。其高电压和大电流承载能力使其成为中高压电力转换设备的理想选择。

替代型号

APTGT200DA170G, APTGT400DA170G

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APTGT300DA170G参数

  • 标准包装1
  • 类别半导体模块
  • 家庭IGBT
  • 系列-
  • IGBT 类型沟道和场截止
  • 配置单一
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1700V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.4V @ 15V,300A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)400A
  • 电流 - 集电极截止(最大)750µA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)26.5nF @ 25V
  • 功率 - 最大1660W
  • 输入标准型
  • NTC 热敏电阻
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳SP6
  • 供应商设备封装SP6