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DO1600T-152 发布时间 时间:2025/12/28 0:10:38 查看 阅读:13

DO1600T-152是一种表面贴装的片式压敏电阻(Varistor),主要用于电子电路中的瞬态电压抑制和过电压保护。该器件由多层陶瓷结构构成,核心材料为锌氧化物(ZnO)半导体,具有非线性电压-电流特性,能够在电压超过其额定阈值时迅速导通,将多余能量泄放到地,从而保护后续电路元件免受雷击、静电放电(ESD)、电感负载切换等引起的瞬态干扰。DO1600T-152属于多层压敏电阻(MLV)系列,封装尺寸通常为0603(1608公制),适合高密度PCB布局,广泛应用于便携式电子产品和通信设备中。
  该型号命名中,“DO”代表制造商或产品系列标识,“1600T”表示尺寸代码(对应0603封装),“152”则表示其标称电压为1500V(即15×102=1500V)。这种命名方式符合业界对压敏电阻的常见编码规则。DO1600T-152具备良好的温度稳定性和长期可靠性,在-40°C至+125°C的工作温度范围内性能稳定,适用于多种严苛环境下的电路保护需求。

参数

类型:多层片式压敏电阻(MLV)
  封装尺寸:0603(1.6mm × 0.8mm)
  标称电压(Vn):1500V
  最大工作电压:1350V
  压敏电压(@1mA DC):约1500V ±20%
  钳位电压(@峰值脉冲电流):典型值小于3000V
  浪涌电流能力(8/20μs脉冲):可达50A(单次)
  电容值(@1kHz,0.5V):约10pF - 20pF
  绝缘电阻:≥100MΩ
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

DO1600T-152具备优异的瞬态电压抑制能力,其核心特性之一是高度非线性的电压-电流响应曲线。在正常工作电压下,该压敏电阻呈现极高的阻抗,漏电流低于微安级别,几乎不影响主电路运行;当遭遇瞬态过电压事件(如雷击感应、电源突波或ESD冲击)时,器件能在纳秒级时间内从高阻态切换至低阻态,快速泄放高达数十安培的瞬时电流,有效限制电压上升幅度,防止敏感IC受损。这一快速响应机制使其成为电源输入端、信号线路及接口端口的理想保护元件。
  该器件采用多层陶瓷工艺制造,内部由多个ZnO晶粒与金属电极交替堆叠而成,形成分布式PN结网络结构。这种结构不仅提高了能量吸收密度,还增强了热稳定性与耐久性。即使在多次承受规定等级的浪涌冲击后,其电气参数仍能保持在允许偏差范围内,表现出良好的疲劳抵抗能力。此外,由于其小型化0603封装设计,DO1600T-152特别适合用于空间受限的应用场景,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及工业传感器模块等。
  另一个显著特点是低寄生电容特性,典型值在10–20pF之间,确保其在高频信号路径中不会引入明显的信号衰减或失真,因此可用于高速数据线(如USB、HDMI、Ethernet)的共模过压保护。同时,该器件符合RoHS环保标准,不含铅及其他有害物质,支持无铅回流焊接工艺,兼容现代SMT自动化生产线。整体而言,DO1600T-152是一款高性能、高可靠性的片式压敏电阻,适用于需要紧凑型过压防护解决方案的设计场合。

应用

DO1600T-152广泛应用于各类需要瞬态电压保护的电子系统中。常见使用场景包括消费类电子产品中的电源适配器输入端,用于抑制来自交流电网的开关噪声和雷击感应电压;在便携式设备如手机、笔记本电脑和平板中,该器件常被布置于充电接口、耳机插孔或USB端口附近,以防范人体静电放电(ESD)造成的芯片损坏。此外,在工业控制领域,它可用于PLC输入输出模块、继电器驱动电路或电机控制器中,吸收因电感负载突然断开而产生的反电动势(Back EMF),避免对微处理器或逻辑门造成误触发或永久损伤。
  在通信基础设施中,DO1600T-152也可部署于以太网端口、RS-485总线或CAN总线节点上,提供线路间的共模和差模过压保护,提升系统的电磁兼容性(EMC)性能。由于其具备较高的额定电压(1500V),该器件尤其适合用于中高压直流供电系统或户外电子设备中,这些环境中更容易受到雷击或强电磁干扰的影响。另外,在汽车电子辅助系统(如车载摄像头、信息娱乐系统)中,虽然主要防雷保护由TVS二极管承担,但在某些非关键但需基本过压防护的子电路中,DO1600T-152因其成本效益和小体积优势仍具应用价值。总之,该压敏电阻适用于任何要求紧凑型、高效能瞬态抑制功能的电路设计。

替代型号

MOU1600T-152
  AVRH0603-151K

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