时间：2025/5/9 8:53:22
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501LBG37M1250CAGR是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制领域。该芯片采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提升系统效率并减少热量损耗。
该型号主要适用于大电流、高频率的应用场景，例如DC-DC转换器、逆变器以及LED驱动电路等。
最大漏源电压：1250V
连续漏极电流：37A
导通电阻（典型值）：0.05Ω
栅极电荷：120nC
开关速度：150ns
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-247
501LBG37M1250CAGR具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻，在大电流条件下减少了功率损耗。
2. 高耐压能力，适合高压环境下的应用。
3. 快速开关性能，支持高频操作，降低电磁干扰（EMI）。
4. 内置保护功能，如过温保护和短路保护，提高了器件的可靠性。
5. 优异的热性能，能够在极端温度范围内稳定运行。
6. 符合RoHS标准，环保且满足全球法规要求。
这款芯片主要应用于以下几个领域：
1. 工业设备中的开关电源和不间断电源（UPS）。
2. 新能源汽车中的电机控制器和车载充电机。
3. 大功率LED照明系统的驱动电路。
4. 光伏逆变器和其他可再生能源发电系统。
5. 高压直流-直流转换器，用于电信基础设施和服务器电源。
501LBG37M1200CAGR, IRFP260N, STP36NF120
