时间：2025/6/20 10:26:42
阅读：3
500R14N151JV4T 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，属于 N 沟道增强型场效应晶体管。它被广泛应用于需要高效率和低导通电阻的场景中，例如开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他功率电子系统。
该器件采用先进的制造工艺，能够提供卓越的电气性能和稳定性，同时具备较高的耐热性和抗干扰能力，确保在复杂的工作环境中保持稳定运行。
最大漏源电压：150V
连续漏极电流：14A
栅极电荷：78nC
导通电阻：3.6mΩ
功耗：200W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
500R14N151JV4T 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（3.6mΩ），从而减少功率损耗并提高整体效率。
2. 高速开关能力，使得其能够在高频应用中表现出色，适用于现代高效能设计。
3. 强大的散热性能，支持更高的功率密度，并能在高温环境下长时间稳定运行。
4. 内置保护功能，如过流保护和短路保护，提升了系统的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到各类工业和消费类电子产品中。
这款芯片适用于多种高要求的应用领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）
2. 电机控制和驱动
3. DC-DC转换器
4. 电池管理系统（BMS）
5. 工业自动化设备中的功率调节
6. 太阳能逆变器以及汽车电子系统中的关键功率模块
IRFZ44N
STP14NK60Z
FDP15N60E
