时间：2025/5/9 10:35:44
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IRF6604是一款N沟道增强型功率MOSFET，由Vishay公司生产。该器件采用逻辑电平驱动设计，具有低导通电阻和快速开关速度，非常适合于高频开关应用，如DC-DC转换器、电源管理模块以及电机驱动等场景。
该芯片的封装形式为TO-252(DPAK)，这种封装有助于提升散热性能并简化PCB布局。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：38A
导通电阻：9mΩ
栅极电荷：17nC
开关时间：开启延迟时间11ns，关断下降时间18ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
IRF6604具备较低的导通电阻，这使其在高电流应用场景下能够减少功率损耗并保持高效运行。
此外，其快速的开关速度有助于降低开关损耗，同时提高系统的整体效率。
由于采用了逻辑电平驱动技术，该器件能够在低至4.5V的栅极驱动电压下正常工作，从而简化了电路设计并减少了外部元件的需求。
它的高温工作能力也使得IRF6604适用于对环境温度要求较高的工业场合。
IRF6604广泛应用于各种电力电子领域，包括但不限于以下方面：
- 开关电源(SMPS)中的功率级控制
- DC-DC转换器的核心元件
- 电机驱动及控制电路
- 消费类电子产品中的负载切换
- 工业自动化设备中的功率调节
IRF6603, IRF6605
