时间：2025/8/24 15:50:48
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RFG60N10 是一款由 Renesas（瑞萨电子）制造的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制、电池管理系统以及各种高功率开关电路中。该器件具有较低的导通电阻、高耐压能力以及良好的热性能，适用于高效率和高可靠性的设计场景。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压 Vds：100V
漏极电流 Id：60A
导通电阻 Rds(on)：20mΩ（典型值）
栅极电荷 Qg：90nC
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-220AB
功耗 PD：200W
RFG60N10 的主要特性包括低导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率；高电流承载能力使其适用于高功率应用；具备良好的热稳定性，可在高温环境下稳定工作；采用 TO-220AB 封装，便于散热和安装；此外，该器件具有较高的雪崩能量耐受能力，增强了在高应力工作条件下的可靠性。
其栅极驱动电压范围较宽，通常在 10V 至 20V 之间工作，能够与多种驱动电路兼容。该 MOSFET 还具备快速开关特性，适合用于高频开关电源和电机控制应用，有效降低开关损耗。其封装设计有助于良好的热管理，确保在高负载条件下仍能保持稳定性能。
RFG60N10 常用于多种电源管理及功率控制电路中，如 DC-DC 升压/降压转换器、同步整流器、电池充电管理系统、电机驱动器、UPS（不间断电源）系统、工业自动化控制设备以及电动车电源系统等。其高电流和高电压特性也使其适用于逆变器和电源转换模块等高功率场景。
IRF640N, FDP60N10, STP60NF10
