型号：4N80L-FC
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装：TO-220F
　　漏源电压(VDS)：800V
　　栅源电压(VGS)：±30V
　　连续漏极电流(ID)@25℃：4A
　　脉冲漏极电流(IDM)：16A
　　导通电阻(RDS(on))@VGS=10V：典型值2.0Ω，最大值2.2Ω
　　阈值电压(VGS(th))@ID=250μA：3V～5V
　　输入电容(Ciss)@VDS=25V：520pF
　　输出电荷(Qgd)@VDS=600V：27nC
　　功耗(PD)@TA=25℃：50W
　　工作结温范围(TJ)：-55℃～+150℃
　　存储温度(Tstg)：-55℃～+150℃

4N80L-FC具备多项优异的电气与物理特性，使其成为中等功率开关电源中的理想选择。首先，其800V的高漏源击穿电压保证了在面对电网波动或瞬态过压时仍能维持安全运行，特别适用于连接市电的离线式电源设计。其次，该器件采用了优化的平面工艺技术，实现了较低的单位面积导通电阻，从而降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。RDS(on)在VGS=10V条件下仅为2.2Ω最大值，使得在4A额定电流下导通压降较小，发热量可控。
　　另一个关键特性是其较低的栅极电荷（Qg）和栅漏电荷（Qgd），这直接关系到开关过程中的驱动损耗和交叉导通风险。Qgd仅为27nC左右，有助于实现更高的开关频率，同时减小由米勒效应引起的误触发概率，提升了高频工作的稳定性。结合520pF的输入电容，该MOSFET可与常见的PWM控制器良好匹配，无需过强的驱动能力即可完成快速开关动作。
　　热性能方面，4N80L-FC采用TO-220F封装，底部带有绝缘垫片，便于安装在接地散热器上而不引起短路，增强了系统的安全性。该封装具有较低的热阻（RθJC约2℃/W），有利于将芯片产生的热量迅速传导至外部环境，防止因局部过热导致器件失效。此外，器件还具备良好的抗雪崩能力和重复雪崩能量耐受性，能够在异常工况下吸收一定的能量而不损坏，进一步提升了系统的鲁棒性。
　　该MOSFET的阈值电压范围为3V～5V，确保了在标准逻辑电平或模拟控制信号下可靠开启，避免了因阈值过低造成的误开通问题。同时，其体二极管具有较快的反向恢复速度，减少了在续流阶段的能量损耗，尤其在反激拓扑中对EMI抑制有积极作用。综合来看，4N80L-FC通过平衡导通损耗、开关损耗与可靠性，为中小功率电源提供了高性能、高性价比的解决方案。

4N80L-FC主要应用于各类需要高压、中等电流开关能力的电力电子设备中。最典型的应用是在反激式开关电源（Flyback Converter）中作为主开关管，用于笔记本电脑适配器、手机充电器、LCD显示器电源模块等消费类电子产品。这类电源通常要求输入电压范围宽（85–265V AC），输出功率在30W至100W之间，4N80L-FC的800V耐压和4A电流承载能力恰好满足此类需求。
　　此外，它也广泛用于LED恒流驱动电源，特别是在隔离式LED路灯、室内照明系统中，能够实现高效的AC-DC转换，并支持PF校正电路的集成。由于其良好的开关特性和热稳定性，有助于提高灯具的寿命与光效一致性。
　　在工业控制领域，4N80L-FC可用于小型逆变器、电机驱动电路或继电器/电磁阀的开关控制单元，尤其是在需要直接接入交流电网的小型自动化设备中表现出色。另外，它还可作为待机电源（Standby Power Supply）的开关元件，为主系统提供低功耗辅助电源，满足能源之星等节能认证要求。
　　在家电产品如空调、洗衣机、微波炉的内部控制电源中，4N80L-FC同样发挥着重要作用。其TO-220F封装便于手工焊接和维修，且具备电气隔离功能，适合多种安装方式。总体而言，凡是涉及高压直流或交流整流后进行斩波控制的场合，4N80L-FC都是一种成熟可靠的功率开关选择。

KSE4N80L, FQP8N80L, STP4NK80ZFP