类型：光电晶体管输出光耦合器
　　通道数：1
　　输入正向电流（IF）：60 mA
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　输出集电极-发射极电压（VCEO）：700 V
　　输出发射极-集电极电压（VECO）：7 V
　　集电极电流（IC）：200 mA
　　功耗（PD）：200 mW
　　绝缘电压（Viso）：5300 Vrms
　　工作温度范围：-55°C 至 +110°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　CTR（电流传输比）：50% ~ 600%
　　上升时间（tr）：3 μs
　　下降时间（tf）：2 μs
　　封装类型：6-DIP（通孔）
　　安装类型：通孔
　　湿度敏感等级（MSL）：1（无限）
　　波峰焊温度（最大）：260°C

4N70KG-TN3-R的核心优势在于其高达700V的集电极-发射极耐压能力，使其特别适用于高电压开关电源、工业电机控制和高压检测系统等应用场合。该光耦的电流传输比（CTR）范围宽广，从50%到600%，意味着在较低的LED驱动电流下也能实现有效的输出驱动，从而降低输入侧的功耗并提高系统能效。此外，由于其具备基极引脚（通常通过外部电阻连接或悬空），设计者可以调节光电晶体管的灵敏度和响应速度，例如通过连接基极到地的电阻来减少暗电流和噪声干扰，提升高速开关性能。
　　该器件的隔离电压达到5300 Vrms，满足UL、CSA、VDE等多项国际安全标准，确保在高压环境下的长期可靠性和操作安全性。其工作温度范围宽达-55°C至+110°C，可在极端温度条件下稳定运行，适用于严苛的工业和户外环境。封装采用行业标准的6引脚DIP形式，便于PCB布局和手工调试，同时也兼容自动化装配流程。器件内部材料具有良好的阻燃性（符合UL94V-0标准），增强了系统的整体安全性。
　　4N70KG-TN3-R的时间响应特性（典型上升/下降时间为3μs/2μs）虽不适用于极高频率信号传输（如MHz级以上），但对于常见的数字信号隔离、PWM控制、继电器驱动和状态反馈等应用已足够使用。其高抗干扰能力和电气隔离特性可有效防止地环路噪声、电压浪涌和瞬态干扰对控制系统的影响，从而提升整个系统的稳定性和可靠性。

4N70KG-TN3-R常用于各类需要电气隔离的电子系统中。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）中的反馈回路隔离，用于将次级侧的电压调节信号安全地传递到初级侧控制器，避免高压窜入低压控制部分。在工业自动化领域，它被广泛应用于PLC（可编程逻辑控制器）的输入/输出模块，实现现场传感器与内部逻辑电路之间的隔离，防止工业现场的电磁干扰影响核心控制单元。
　　此外，该器件也适用于逆变器、UPS（不间断电源）、电机驱动器和电池管理系统中，作为控制信号与功率部分之间的隔离接口。在医疗设备中，由于对患者安全有严格要求，4N70KG-TN3-R可用于隔离监控电路与主电源系统，满足医疗电气安全标准。它还常见于通信接口电路中，如RS-232、RS-485隔离模块，以增强通信稳定性并防止远距离传输带来的地电位差问题。家用电器如空调、洗衣机中的微控制器与强电驱动部分之间也常采用此类光耦进行隔离保护。

SFH620A-3X007T
　　EL357SC-C-A
　　TLP521-GBS