时间:2025/12/27 7:20:58
阅读:13
4N65L-TM3-T是一款由ON Semiconductor生产的光电耦合器(光耦),广泛应用于需要电气隔离的电路中。该器件集成了一个高效率的红外发光二极管(IR LED)和一个与之光学耦合的N沟道功率MOSFET,构成了一种被称为“光继电器”或“固态继电器”的结构。这种设计使得4N65L-TM3-T能够在输入和输出之间实现高度的电气隔离,同时具备无触点、长寿命、低噪声和快速响应的优点。器件采用SMD-4封装(如SOIC-4),适合自动化贴片生产,广泛用于工业控制、通信设备、仪器仪表以及各种需要信号隔离和负载驱动的应用场合。其工作温度范围较宽,通常支持工业级温度应用,确保在恶劣环境下的稳定运行。此外,该器件符合RoHS环保标准,适用于现代绿色电子产品设计。
类型:光电耦合器(MOSFET输出)
通道数:1
输入正向电流(IF):50 mA
输入反向电压(VR):6 V
输出耐压(VDS):600 V
输出连续漏极电流(ID):100 mA
输出导通电阻(RON):典型值10 Ω,最大值20 Ω
隔离电压(VISOL):5000 VRMS
工作温度范围:-55°C 至 +110°C
存储温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:SOIC-4(表面贴装)
引脚数:4
上升时间(tR):0.5 ms
下降时间(tF):0.5 ms
输入LED波长:约940 nm
绝缘材料:聚酰亚胺(Polyimide)
认证标准:UL、CSA、VDE、BSI等安全认证
4N65L-TM3-T的核心特性之一是其基于PhotoMOS技术的输出结构,即利用光触发MOSFET进行开关操作。当输入端的红外LED被正向偏置点亮时,发出的光照射到内部的光敏栅极,产生光生电压,从而驱动功率MOSFET导通。这一机制实现了真正的电-光-电转换,且在整个工作过程中没有机械触点,因此避免了传统电磁继电器常见的弹跳、磨损和电弧问题。该器件具有极高的隔离性能,其隔离电压可达5000 VRMS,能够有效防止高压干扰传递至控制侧,保护敏感电路和操作人员安全。此外,由于其输出端为MOSFET结构,导通时呈现低电阻特性,典型导通电阻仅为10欧姆,能够减少功耗并提高系统效率。该器件支持高达600V的漏源耐压,使其适用于中高压开关应用,例如交流电源控制、固态继电器模块和电池管理系统中的高压切换。
另一个显著特点是其快速的开关响应能力,上升和下降时间均在0.5毫秒以内,适合需要频繁通断的动态控制场景。相比传统机电继电器,4N65L-TM3-T具备更长的使用寿命,不受机械疲劳影响,可实现数亿次以上的开关操作。其SOIC-4小型化表面贴装封装不仅节省PCB空间,还便于自动化生产和回流焊工艺,提升了制造效率。器件的工作温度范围宽达-55°C至+110°C,确保在极端环境条件下仍能稳定工作,适用于工业自动化、户外设备和车载电子等严苛应用场景。此外,该光耦对电磁干扰(EMI)不敏感,不会产生射频噪声,适合用于高精度测量仪器和通信系统中。其输入侧仅需较低的驱动电流(典型50mA),可直接由微控制器GPIO口驱动,无需额外的驱动电路,简化了系统设计。整体而言,4N65L-TM3-T结合了高可靠性、高隔离性、低功耗和紧凑封装等优点,是一种理想的固态开关解决方案。
4N65L-TM3-T广泛应用于需要电气隔离和安全控制的各类电子系统中。在工业自动化领域,常用于PLC(可编程逻辑控制器)的输入/输出模块中,作为数字信号隔离元件,防止现场设备的高压或噪声干扰进入主控单元。在测试与测量设备中,如自动测试仪(ATE)、数据采集系统和示波器,该器件可用于多路复用开关或信号路径切换,确保测量精度和操作安全。在通信系统中,它可用于隔离不同电位的接口电路,如RS-232、RS-485等串行通信线路,防止地环路干扰和电压差损坏设备。此外,在医疗电子设备中,由于其高隔离电压和安全性,被用于患者连接设备的信号隔离,满足医疗安规要求。在电力控制系统中,4N65L-TM3-T可用于电池管理系统(BMS)中的高压电池组切换、太阳能逆变器中的旁路控制以及智能电表的负载开关控制。其600V耐压能力也使其适用于交流电源控制,如固态继电器(SSR)模块、照明控制和加热器开关等应用。在消费类电子产品中,可用于高端家电中的安全隔离电路或音响设备中的静音开关。由于其无触点特性和长寿命,特别适合需要高可靠性和免维护设计的场合。
FOD8115,ACPL-M61L,PC955TNSZ,CLM6021-300,TLP3558S