MMBF170LT1 时间：2025/7/17 18:35:15 阅读：8

MMBF170LT1 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用小型表面贴装封装（SOT-23）。该器件专为低电压和中等功率应用设计，具有较高的开关速度和较低的导通电阻。MMBF170LT1 广泛应用于电源管理、负载开关、电机控制以及电池供电设备等领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：100mA
　　导通电阻(Rds(on))：5Ω @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

MMBF170LT1 具备多项优良特性，适合多种电子电路应用。
　　首先，该器件具有高达 60V 的漏源击穿电压，使其在中高压开关应用中表现稳定。其最大连续漏极电流可达 100mA，在 SOT-23 封装中具备较好的电流承载能力。
　　其次，该 MOSFET 的导通电阻 Rds(on) 在 Vgs=10V 时仅为 5Ω，确保在导通状态下损耗较低，提高系统效率。此外，其栅极驱动电压范围宽，支持从 4.5V 到 20V 的栅源电压，适用于多种驱动电路设计。
　　MMBF170LT1 还具备良好的热稳定性与高可靠性，能够在 -55°C 至 +150°C 的工业级温度范围内稳定工作。SOT-23 小型封装形式便于 PCB 布局，并适用于自动化装配工艺。
　　此外，该器件具备快速开关特性，适用于需要高频操作的应用场景，如 DC-DC 转换器、LED 驱动电路及信号切换电路等。

应用

MMBF170LT1 主要用于以下几类应用场景：
　　在电源管理系统中，作为负载开关或电源路径控制元件使用，适用于便携式电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的节能控制。
　　在电机控制和继电器替代方案中，该 MOSFET 可作为固态开关实现对小功率电机或电磁阀的控制，提供更长的使用寿命和更高的可靠性。
　　此外，该器件常用于电池管理系统（BMS）中，用作充放电回路的开关元件，以保护电池组免受过流和反向电流的影响。
　　在 LED 照明系统中，MMBF170LT1 可用于 PWM 调光控制或作为电流限制开关，确保光源的稳定性和能效。
　　最后，在通信设备、工业控制系统和传感器接口电路中，该 MOSFET 可用于信号路由或功率调节功能，提供灵活的控制方式。