EMF44P02J 是一款由东芝(Toshiba)生产的 N 沟道增强型 MOSFET 功率晶体管。该器件适用于高频开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等应用,具有低导通电阻和高开关速度的特点。
其采用小型封装 TO-252 (DPAK),适合空间受限的设计场景,同时具备良好的散热性能。
最大漏源电压:40V
最大栅源电压:±20V
持续漏极电流:2.9A
脉冲漏极电流:12.6A
导通电阻(典型值):35mΩ
栅极电荷(典型值):1.7nC
开关时间:ton=8ns, toff=15ns
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
1. 低导通电阻,减少功率损耗,提升效率。
2. 高速开关能力,适合高频电路设计。
3. 小型 DPAK 封装,节省 PCB 空间。
4. 支持大电流操作,满足多种负载需求。
5. 宽工作温度范围,适应恶劣环境条件。
6. 符合 RoHS 标准,环保无铅材料。
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC 转换器的主开关或续流二极管替代。
3. 电池管理系统的充放电控制。
4. 小型电机驱动及逆变器。
5. LED 照明驱动电路。
6. 各类工业自动化设备中的功率开关应用。
IRFZ44N, FQP27P06, AO3400