类型：光电晶体管输出光耦
　　集电极-发射极电压（Vceo）：80V
　　发射极-集电极电压（Veco）：7V
　　集电极电流（Ic）：100mA
　　功耗（Pd）：200mW
　　隔离电压（Viso）：5000VRMS
　　LED正向电流（If）：60mA
　　LED反向电压（Vr）：6V
　　工作温度范围：-55°C ~ +110°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　最大数据传输速率：100kHz
　　封装形式：6-DIP
　　输入-输出绝缘电阻：10^11 Ω
　　输入-输出寄生电容：0.8pF

4N60C3光电耦合器具备优异的电气隔离性能，其输入端采用标准红外发光二极管，能够在较低的驱动电流下实现高效的光发射，典型正向电压约为1.2V至1.4V，在10mA驱动电流下即可提供足够的光输出以触发输出端的光敏晶体管。输出端为NPN型光敏三极管结构，具有较高的电流传输比（CTR），通常在50%到600%之间，具体值取决于测试条件和批次差异。这种高CTR特性使得4N60C3在低输入电流条件下仍能驱动较大的负载电流，提升了系统的能效和响应速度。
　　该器件具有良好的温度稳定性，在-55°C至+110°C的工作温度范围内，CTR的变化较小，保证了在极端环境下的可靠运行。同时，其高达5000VRMS的隔离电压使其能够安全地隔离高压侧与低压控制侧，适用于医疗设备、工业自动化和电力监控系统等对安全等级要求较高的应用场景。
　　4N60C3还具备较强的抗电磁干扰能力，输入与输出之间的寄生电容仅为0.8pF，显著降低了高频噪声通过容性耦合传播的可能性，提高了共模瞬态抗扰度（CMTI），这对于在变频器、伺服驱动器等存在快速电压变化的环境中尤为重要。此外，其6引脚DIP封装设计提供了额外的爬电距离和电气间隙，进一步增强了绝缘性能。
　　该光耦支持直流和交流信号的传输，可用于模拟或数字信号隔离。虽然其响应时间相对较慢（典型开通时间为2μs，关断时间为2μs），但对于大多数中低速控制系统而言已足够使用。其小尺寸封装便于PCB布局，并兼容自动插件和回流焊接工艺，适合大规模生产。整体而言，4N60C3是一款性价比高、可靠性强的通用型光耦器件。

4N60C3广泛应用于各类需要电气隔离的电子系统中。在开关电源（SMPS）中，常用于反馈回路，将次级侧的电压调节信号传递到初级侧的PWM控制器，实现闭环稳压控制，同时隔离主电路与控制电路，提升安全性。在工业自动化领域，该器件用于PLC（可编程逻辑控制器）的输入/输出模块，隔离现场传感器或执行器与内部逻辑电路，防止外部高压或噪声损坏核心处理器。
　　在电机驱动系统中，4N60C3可用于隔离微控制器发出的PWM信号与功率驱动芯片（如IGBT或MOSFET栅极驱动器），避免高dv/dt干扰影响控制信号的完整性。在逆变器和UPS（不间断电源）系统中，它同样承担着控制信号与高压桥臂之间的隔离任务，保障操作人员和设备的安全。
　　此外，4N60C3也常见于通信接口电路中，例如RS-232、RS-485等串行通信线路的隔离设计，防止不同设备间的地电位差引起通信故障或设备损坏。在医疗电子设备中，由于其符合严格的安全隔离标准，可用于病人连接设备的信号隔离部分，满足IEC 60601等医疗安规要求。
　　其他应用还包括电池管理系统（BMS）、电表、继电器驱动、固态继电器（SSR）以及各种嵌入式控制系统中的数字信号隔离。由于其通用性强、成本低、性能稳定，4N60C3成为许多工程师在设计隔离电路时的首选器件之一。

PC817XNIP0Y
　　TLP521-4GB
　　EL817C
　　HCPL-260L