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H5TQ1G83TFR-PB 发布时间 时间:2025/9/1 16:49:43 查看 阅读:5

H5TQ1G83TFR-PB 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高密度、低功耗的移动存储解决方案。该型号是一款1Gb(128MB)的LPDDR(低功耗双倍数据速率)DRAM芯片,专为移动设备和嵌入式系统设计。它采用了先进的CMOS技术,具有高速数据传输能力,同时保持较低的功耗,非常适合智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对功耗和空间要求较高的应用。

参数

容量:1Gb
  数据速率:166MHz / 200MHz
  电压:1.8V / 2.5V
  封装类型:TSOP
  数据总线宽度:x8
  工作温度:-40°C ~ +85°C
  封装尺寸:54-ball FBGA

特性

H5TQ1G83TFR-PB具备多项优异特性,包括低功耗设计、高速数据存取能力以及高集成度。该芯片支持自动刷新和自刷新功能,在保持数据完整性的同时降低系统功耗。其TSOP封装形式提供了良好的散热性能和稳定性,适用于多种便携式电子设备。此外,该DRAM芯片采用了CMOS工艺,具备良好的抗干扰能力和稳定性,可在复杂电磁环境中可靠工作。
  其工作电压为1.8V至2.5V之间,支持宽电压范围操作,提高了其在不同应用场景下的适应性。芯片内部集成了模式寄存器,可用于配置工作模式、突发长度、CAS延迟等参数,增强了系统的灵活性和可配置性。此外,H5TQ1G83TFR-PB还支持突发模式操作,可实现连续数据的高速读写,提升整体系统性能。

应用

H5TQ1G83TFR-PB广泛应用于移动通信设备、智能手持终端、嵌入式系统、数码相机、MP3播放器、便携式游戏机等对功耗和体积要求较高的电子产品中。此外,该芯片也适用于工业控制设备、车载电子系统、医疗监测设备等需要稳定存储解决方案的场合。由于其低功耗、高稳定性和紧凑封装,H5TQ1G83TFR-PB也常被用于物联网(IoT)设备和边缘计算设备中,为系统提供高效的内存支持。

替代型号

H5TQ1G83EFR-PB, H5TQ1G83AFR-PB

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