H5TQ1G83TFR-PB 时间：2025/9/1 16:49:43 阅读：20

H5TQ1G83TFR-PB 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高密度、低功耗的移动存储解决方案。该型号是一款1Gb（128MB）的LPDDR（低功耗双倍数据速率）DRAM芯片，专为移动设备和嵌入式系统设计。它采用了先进的CMOS技术，具有高速数据传输能力，同时保持较低的功耗，非常适合智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对功耗和空间要求较高的应用。

参数

容量：1Gb
　　数据速率：166MHz / 200MHz
　　电压：1.8V / 2.5V
　　封装类型：TSOP
　　数据总线宽度：x8
　　工作温度：-40°C ~ +85°C
　　封装尺寸：54-ball FBGA

特性

H5TQ1G83TFR-PB具备多项优异特性，包括低功耗设计、高速数据存取能力以及高集成度。该芯片支持自动刷新和自刷新功能，在保持数据完整性的同时降低系统功耗。其TSOP封装形式提供了良好的散热性能和稳定性，适用于多种便携式电子设备。此外，该DRAM芯片采用了CMOS工艺，具备良好的抗干扰能力和稳定性，可在复杂电磁环境中可靠工作。
　　其工作电压为1.8V至2.5V之间，支持宽电压范围操作，提高了其在不同应用场景下的适应性。芯片内部集成了模式寄存器，可用于配置工作模式、突发长度、CAS延迟等参数，增强了系统的灵活性和可配置性。此外，H5TQ1G83TFR-PB还支持突发模式操作，可实现连续数据的高速读写，提升整体系统性能。

应用

H5TQ1G83TFR-PB广泛应用于移动通信设备、智能手持终端、嵌入式系统、数码相机、MP3播放器、便携式游戏机等对功耗和体积要求较高的电子产品中。此外，该芯片也适用于工业控制设备、车载电子系统、医疗监测设备等需要稳定存储解决方案的场合。由于其低功耗、高稳定性和紧凑封装，H5TQ1G83TFR-PB也常被用于物联网（IoT）设备和边缘计算设备中，为系统提供高效的内存支持。