类型：晶体管输出光耦
　　通道数：1
　　输入正向电压（VF）：1.7V（典型值）
　　输入反向电压（VR）：5V
　　输入正向电流（IF）：60mA（最大值）
　　输出集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　输出发射极-集电极电压（VECO）：7V
　　输出集电极电流（IC）：100mA（最大值）
　　隔离电压（Viso）：5000VRMS（最小值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +100°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装形式：6-DIP（双列直插）
　　上升时间/下降时间：3μs / 3μs（典型值）
　　电流传输比（CTR）：100% 至 500%（测试条件：IF=10mA, VCE=5V）

4N50L光耦合器具备优良的电气隔离性能，其核心特性之一是输入端采用砷化镓红外发光二极管，能够在较低的驱动电流下（通常为10mA左右）有效激发光信号，从而激活输出端的硅NPN光电晶体管。这种结构确保了器件在低功耗条件下仍能实现稳定的信号传输。其电流传输比（CTR）范围宽，典型值在100%至500%之间，意味着输出电流可达到或超过输入电流，这使得它在驱动负载或连接逻辑电路时具有较高的灵活性和驱动能力。
　　该器件的隔离电压高达5000VRMS，满足大多数工业安全标准要求，能够在高压与低压电路之间提供可靠的绝缘屏障，有效防止因电压突变或地电位差引起的损坏。此外，4N50L的工作温度范围宽，从-55°C到+100°C，使其适用于恶劣环境下的工业控制系统、电源管理模块以及户外设备中。
　　响应时间方面，4N50L的上升和下降时间均为3微秒左右，虽然不适用于高频开关场合（如MHz级信号隔离），但对于工频控制、继电器驱动、数字信号隔离等中低速应用场景已足够使用。其6引脚DIP封装便于手工焊接和PCB布局，且第6引脚为空脚或用于屏蔽，有助于减少漏电流和提高抗干扰能力。
　　值得一提的是，4N50L在长期使用中表现出良好的稳定性和寿命，不易受湿度、振动和电磁干扰影响。同时，其输出端为NPN晶体管结构，支持共发射极和共集电极两种接法，可用于电平转换、开关控制或模拟信号隔离等多种电路设计。整体而言，4N50L是一款性价比高、通用性强的光耦器件，适合广泛应用于中小功率电子系统中的隔离需求。

4N50L广泛应用于各类需要电气隔离的电子系统中。在开关电源（SMPS）中，常被用作反馈回路中的隔离元件，将次级侧的电压调节信号传递到初级侧的PWM控制器，同时保持高低压之间的绝缘，保障操作安全。在工业自动化控制系统中，4N50L用于PLC（可编程逻辑控制器）的输入/输出模块，实现现场传感器或执行器与控制单元之间的信号隔离，防止工业现场的高电压或噪声干扰影响核心控制器。
　　此外，在交流电源监测电路中，4N50L可用于检测市电是否存在或过零点信号采集，通过光耦将高压交流信号转换为低压直流信号供微控制器处理，避免直接接入带来的风险。在电机驱动和继电器控制电路中，4N50L作为驱动级的隔离元件，能够有效隔离控制侧（如单片机）与功率侧（如MOSFET或IGBT驱动电路），提升系统的抗干扰能力和可靠性。
　　在通信接口隔离方面，尽管4N50L速度较慢，不适合高速数据传输，但仍可用于低速串行通信（如RS-232、RS-485）中的电平隔离，防止不同设备间的地线环路问题。在医疗设备、测试仪器和电源适配器中，4N50L也常用于实现功能隔离，满足安全认证要求。总之，凡是需要在两个电路之间传递信号但又必须切断电气连接的场合，4N50L都是一种成熟可靠的解决方案。

MCT2E, PC817, 4N25, 4N26, H11AA1