时间:2025/12/27 8:01:03
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4N50L-TM3-T是一款由ON Semiconductor生产的光耦合器(光电耦合器),属于高性能、高可靠性的隔离器件,广泛应用于需要电气隔离的电路系统中。该器件内部集成了一个红外发光二极管(IR LED)和一个与之光耦合的NPN型光电晶体管,采用表面贴装的SOP-4封装形式,适合自动化贴片生产流程。4N50L-TM3-T的设计重点在于提供良好的输入输出隔离性能,能够在高噪声、高电压或存在电磁干扰的工业环境中稳定工作。其主要功能是通过光信号实现电信号的传输,从而在输入端和输出端之间建立电气隔离,防止接地环路、电压浪涌或瞬态干扰对敏感控制电路造成影响。该器件具有较高的隔离电压(通常可达5000 VRMS),适用于多种电源管理、信号隔离和工业控制应用。此外,4N50L-TM3-T符合RoHS环保标准,并支持无铅焊接工艺,适用于现代绿色电子产品制造要求。由于其紧凑的封装和可靠的性能,该光耦被广泛用于开关电源、逆变器、电机驱动器、PLC模块以及通信接口等场合。
型号:4N50L-TM3-T
器件类型:光电晶体管输出光耦合器
通道数:1
封装类型:SOP-4
引脚数:4
最大集电极-发射极电压:50 V
最大集电极电流:100 mA
电流传输比(CTR):50% ~ 600%(典型值)
正向电压(VF):1.2 V(典型值,IF=10mA)
隔离电压:5000 VRMS
工作温度范围:-55°C ~ +110°C
存储温度范围:-55°C ~ +125°C
响应时间(上升/下降):3 μs / 3 μs(典型值)
绝缘电阻:≥10^11 Ω
介电强度:5000 VRMS / 分钟
4N50L-TM3-T具备优异的电气隔离性能,能够在高压与低压电路之间提供安全可靠的信号传输路径。其内部采用红外LED与光电晶体管的组合结构,确保了稳定的光电转换效率和较长的使用寿命。该器件的关键特性之一是宽泛的工作温度范围(-55°C 至 +110°C),使其不仅适用于常温环境下的消费类电子设备,还能在极端温度条件下保持正常运行,例如工业自动化控制系统或户外电源设备中。这种宽温特性得益于其材料选择和内部封装工艺的优化设计,能够有效抵抗热应力导致的性能退化。
另一个重要特性是其高电流传输比(CTR),典型值在50%到600%之间,这意味着即使输入侧的驱动电流较小,也能在输出侧获得足够的集电极电流,从而降低驱动电路的功耗需求,并提高系统的能效表现。这对于低功耗设计或电池供电的应用尤为重要。同时,较高的CTR也增强了信号传输的稳定性,减少了因CTR衰减而导致的误动作风险。
该器件还具备快速的响应时间(上升和下降时间均为3μs左右),使得它能够胜任中高速信号隔离任务,如数字信号传输、脉冲宽度调制(PWM)信号隔离等。相比一些响应较慢的传统光耦,4N50L-TM3-T更适合用于需要较高动态响应的控制系统。此外,其SOP-4小型化表面贴装封装不仅节省PCB空间,而且便于自动化生产,提升了制造效率和产品一致性。
安全性方面,4N50L-TM3-T支持高达5000 VRMS的隔离电压,满足基本绝缘等级要求,可用于医疗设备、工业电源和家用电器等多种安全敏感型应用。其高绝缘电阻(≥10^11 Ω)和优异的介电强度进一步保障了长期使用的可靠性,避免漏电流或击穿故障的发生。整体来看,4N50L-TM3-T是一款综合性能优良、适用范围广泛的通用型光耦合器。
4N50L-TM3-T广泛应用于各类需要电气隔离的电子系统中。在开关电源(SMPS)中,常用于反馈回路中的电压或电流信号隔离,将次级侧的稳压信息传递至初级侧控制器,同时阻断高压对控制芯片的影响,提升系统安全性与稳定性。在工业自动化领域,该器件可用于PLC(可编程逻辑控制器)的输入/输出模块中,实现现场传感器或执行器与中央处理单元之间的信号隔离,防止工业现场的电磁干扰或电压突波损坏核心控制电路。
在电机驱动系统中,4N50L-TM3-T可用于隔离微控制器发出的PWM控制信号与功率驱动级(如IGBT或MOSFET栅极驱动器),确保控制信号准确传递的同时,保护低压逻辑电路不受高压侧瞬态电压的影响。此外,在逆变器、UPS(不间断电源)和太阳能发电系统中,该光耦也常用于状态监测、故障保护信号的隔离传输。
通信接口隔离是另一大应用场景,例如在RS-232、RS-485等串行通信线路中使用4N50L-TM3-T可以有效消除接地电位差引起的干扰,提高通信的可靠性。此外,该器件还可用于医疗电子设备中的辅助电源监控、测试测量仪器的信号调理电路以及家电中的微处理器接口隔离等场合。由于其高可靠性与符合环保标准的特点,4N50L-TM3-T已成为许多设计师在中低端光耦选型中的首选之一。
EL357SC-B, PC817X1NSZ, TLP521-GB, H11AA4, LTV-817S-C}