类型：高侧/低侧栅极驱动器
　　供电电压范围（VDD）：10 V 至 20 V
　　逻辑输入电压兼容性：3.3 V / 5 V TTL/CMOS 兼容
　　峰值输出电流：±2 A
　　输入阈值电压：典型值 1.4 V（滞后约 0.5 V）
　　传播延迟时间：典型值 60 ns
　　上升时间（tr）：典型值 25 ns
　　下降时间（tf）：典型值 20 ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　静态电流：典型值 200 μA
　　输出电压摆幅：接近VDD和GND（轨到轨）
　　隔离电压能力：支持高侧浮地工作（耐压达600 V以上）
　　封装类型：SOP8

TM7002EFV具备多项先进特性，确保其在复杂电磁环境下的稳定运行。首先，它内置了高效的电平移位技术，使其能够在高侧驱动应用中准确传递控制信号，即使在母线电压快速变化（如dV/dt高达100 V/ns）的情况下也能保持良好的抗干扰能力，避免误触发。其次，该器件具有极低的传播延迟和匹配的上升/下降时间，保证上下桥臂驱动信号的精确同步，减少死区时间需求，从而提升转换效率并降低开关损耗。此外，TM7002EFV集成了欠压锁定（UVLO）保护功能，当电源电压低于安全阈值时会自动关闭输出，防止因驱动不足导致的功率管非饱和导通而引发过热或短路风险。
　　该芯片还具备高噪声 immunity 的施密特触发输入结构，有效抑制输入端的毛刺和振铃现象，提高系统在工业环境中的鲁棒性。输出级采用大电流缓冲结构，可快速充放电MOSFET栅极电容，显著缩短开关过渡时间。同时，其内部电路经过优化设计，具有较低的静态功耗和待机电流，适合用于节能型电源系统。热关断保护功能进一步增强了系统的安全性，在异常温升情况下自动切断输出以防止损坏。整体而言，TM7002EFV通过高度集成化与多重保护机制，提供了可靠、高效的栅极驱动解决方案，适用于多种高频、高效率电力电子变换场合。

TM7002EFV主要应用于各类需要驱动高压、大电流功率MOSFET或IGBT的电力电子系统中。常见用途包括交流-直流（AC-DC）和直流-直流（DC-DC）开关电源，特别是在PFC（功率因数校正）电路中的半桥或全桥拓扑中作为高侧开关的驱动核心。它也被广泛用于电机控制领域，如无刷直流电机（BLDC）驱动器、伺服驱动系统和变频家电中，用于精确控制功率桥臂的通断时序，实现高效调速与能量回馈。此外，在光伏逆变器、UPS不间断电源、电动汽车车载充电机（OBC）以及工业电源模块中，TM7002EFV凭借其高可靠性与快速响应能力，成为理想的栅极驱动选择。由于其支持3.3V和5V逻辑电平输入，能够无缝对接微控制器（MCU）、DSP或专用PWM控制器输出信号，因此非常适合嵌入式控制系统集成。在照明电源领域，如LED恒流驱动电源中，该芯片也可用于主功率开关的驱动，提升系统整体效率与稳定性。总之，凡涉及高频开关动作与高效率能量转换的应用，TM7002EFV均能发挥出色性能。

TC4420, IRS2104, UCC27324