时间：2025/6/29 22:57:50
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SDP137UMD 是一款由 Vishay 公司生产的 P 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、负载开关和低电压功率转换等领域。该器件采用先进的沟槽技术，提供了高效率和低导通电阻的特点。封装形式为 UMD，适合表面贴装工艺，节省空间且便于自动化生产。
类型：P 沟道增强型 MOSFET
漏极电流 (ID)：-4.1A
漏源电压 (VDS)：-20V
栅源电压 (VGS)：±8V
导通电阻 (RDS(on))：56mΩ @ VGS = -4.5V；80mΩ @ VGS = -2.5V
栅极电荷 (Qg)：9nC @ VGS = -4.5V
工作温度范围：-55°C 至 150°C
SDP137UMD 的核心优势在于其低导通电阻和小型化封装设计，能够在较小的电路板空间内实现高效的功率控制。采用沟槽结构的MOSFET具备更低的导通损耗，提高了系统的整体能效。此外，该器件具有快速开关能力，适用于需要高频操作的应用场景。在热性能方面，该MOSFET能够在较高的环境温度下稳定运行，适应工业级应用的需求。其坚固的封装设计和良好的焊接可靠性也使其成为自动化生产和批量制造的理想选择。
该器件常用于笔记本电脑、平板电脑等便携式电子设备中的电池供电管理系统，以及DC-DC转换器、负载开关和电机驱动电路中。由于其高效性和紧凑性，SDP137UMD 也非常适合于对空间要求较高的嵌入式系统和物联网设备。
Si7153DP-T1-E3, BSS84LT1G
