时间：2025/9/15 10:31:04
阅读：10
4N46000E 是一款由 ON Semiconductor 生产的光耦合器（光电隔离器），广泛应用于工业控制、电源管理及通信设备中，用于实现电气隔离并传递信号。该器件由一个红外发光二极管（LED）和一个光电晶体管组成，能够有效隔离输入和输出电路，防止高电压干扰或损坏敏感电子元件。
类型：光耦合器（光电晶体管输出）
电流传输比（CTR）：50%至600%（典型值）
最大正向电流（IF）：60 mA
最大反向电压（VR）：5 V
集电极-发射极电压（VCE）：30 V
最大功耗（PD）：150 mW
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
封装类型：6引脚DIP（双列直插式封装）
4N46000E 具有良好的电气隔离性能，其隔离电压可达5000 Vrms，适用于高可靠性与高安全要求的应用场景。其CTR（电流传输比）范围宽，确保了在不同输入电流条件下仍能保持稳定的输出性能。此外，该光耦的响应时间适中，适合用于中速信号隔离和开关应用。其封装形式便于在PCB上安装，并与标准的逻辑电平兼容。4N46000E 还具有较强的抗干扰能力，能够在电磁环境复杂的工业现场稳定工作。
在设计中，4N46000E 常用于隔离低压控制电路与高压主电路之间的信号传输，例如在PLC（可编程逻辑控制器）、电机驱动器和电源监控系统中。其封装符合UL和VDE安全标准，适用于需要认证的工业和医疗设备。
4N46000E 主要应用于工业自动化系统、交流/直流电源转换器、继电器驱动电路、电能质量监测设备、通信接口隔离以及家用电器中的控制电路隔离。它还可用于医疗设备、测试测量仪器和安全系统中，以确保信号传输的可靠性和设备的安全性。
4N25、4N26、4N27、TLP521、PC817
