时间：2025/12/26 19:43:18
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43CTQ100G是一款高性能的肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），由Vishay Semiconductors生产，广泛应用于高效率电源转换系统中。该器件采用先进的平面技术制造，具有低正向电压降和快速开关特性，适合在高温、高频率环境下稳定工作。其主要设计目标是提高电源系统的整体效率，减少能量损耗，并支持紧凑型电源设计。43CTQ100G属于双共阴极配置的肖特基二极管模块，封装形式为TO-247AD，便于安装在散热器上以实现良好的热管理。这种结构特别适用于大电流、低压输出的同步整流应用，如服务器电源、通信电源和工业电源等场合。
该器件的额定反向电压为45V，最大平均整流电流可达85A，峰值电流承受能力更强，能够满足瞬态负载变化的需求。由于其出色的热性能和电气性能，43CTQ100G在现代高密度电源设计中被广泛采用，尤其是在需要高效能和高可靠性的应用场景中。此外，该产品符合RoHS环保标准，无铅且符合有害物质限制要求，适用于绿色电子产品制造。
型号：43CTQ100G
制造商：Vishay Semiconductors
器件类型：双共阴极肖特基势垒二极管
最大反向重复电压（VRRM）：45V
最大直流阻断电压（VR）：45V
平均整流电流（IF(AV)）：85A
峰值正向浪涌电流（IFSM）：350A
最大正向电压降（VF）：0.57V @ 45A, Tc=125°C
最大反向漏电流（IR）：3.0mA @ 45V, Tc=125°C
工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +175°C
存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +175°C
封装类型：TO-247AD
安装方式：通孔安装（Through Hole）
极性：双共阴极（Common Cathode）
热阻（RθJC）：1.2°C/W
引脚数：3
43CTQ100G的核心优势在于其卓越的低正向压降与高电流处理能力的结合，使其成为高效率电源整流应用的理想选择。该器件在125°C壳温下测得的最大正向电压仅为0.57V（在45A条件下），这一数值显著低于传统硅二极管，甚至优于许多同类肖特基二极管。低VF意味着更低的导通损耗，从而大幅提升了电源转换效率，尤其在低压大电流输出场景中效果更为明显，例如在12V转5V或3.3V的DC-DC变换器中，能够有效降低温升并提升系统能效。此外，由于其双共阴极结构，两个独立的肖特基二极管共享一个阴极引脚，便于在同步整流拓扑中实现对称布局，优化电磁兼容性和热分布。
另一个关键特性是其优异的热性能。TO-247AD封装具备良好的散热能力，配合低热阻RθJC（1.2°C/W），使得器件在高负载运行时仍能保持较低的结温，延长使用寿命并提高系统可靠性。该器件可在高达175°C的结温下持续工作，展现出出色的高温稳定性，适合在严苛环境如工业设备、电信基站或车载电源中使用。同时，其快速恢复特性（本质上无反向恢复电荷Qrr）避免了开关过程中的能量损耗和电压尖峰，减少了EMI干扰，提升了系统整体稳定性。尽管肖特基二极管通常存在较高的反向漏电流问题，但43CTQ100G通过优化工艺将漏电流控制在合理范围内（典型值3mA @ 45V, 125°C），在实际应用中可通过合理的散热设计进一步抑制漏电增长。此外，该器件具备高浪涌电流承受能力（IFSM达350A），可应对开机瞬间的大电流冲击，增强了系统的鲁棒性。
43CTQ100G广泛应用于各类高效率、大电流的电源转换系统中，特别是在需要低压大电流输出的场合表现尤为突出。典型应用包括服务器和数据中心的高功率电源供应器（PSU），其中作为次级侧同步整流元件，用于替代传统的MOSFET驱动整流方案，简化电路设计并提升效率。在通信电源系统中，如基站电源、光传输设备电源模块，该器件因其高可靠性和低损耗特性被广泛采用，确保长时间连续运行下的稳定性。此外，在工业电源、UPS不间断电源、焊接设备电源以及太阳能逆变器等电力电子装置中，43CTQ100G也常用于DC-DC变换器的输出整流阶段，帮助实现紧凑化、高效化的设计目标。在电动汽车充电基础设施中的辅助电源模块中，该器件同样具备应用潜力，尤其是在车载OBC（车载充电机）的次级整流环节。由于其符合RoHS标准且具备良好的热循环耐久性，也可用于对环保和长期可靠性要求较高的医疗设备电源和测试测量仪器电源系统中。
MBRS1045CT
