电容：0.22μF (220nF)
　　额定电压：50V DC
　　电介质材料：C0G (NP0)
　　温度特性：±30ppm/°C (Class I)
　　封装尺寸：0603 (1608 metric)
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　电容容差：±10%
　　产品系列：CL10B
　　制造商：Samsung Electro-Mechanics
　　产品等级：工业级

CL10B224KO8NFNC所采用的C0G（也称为NP0）电介质材料是Class I型陶瓷电容器中的高性能代表，具有极佳的电气稳定性。其最显著的特性是在整个工作温度范围内（-55°C至+125°C）电容值变化极小，温度系数仅为±30ppm/°C，这意味着即使在极端温度环境下，电容值也不会发生明显漂移，确保了电路参数的长期一致性。这种稳定性使其特别适用于对频率稳定性要求极高的应用场景，如LC谐振电路、晶体振荡器旁路、射频匹配网络以及精密滤波器设计。此外，C0G材质不受施加电压的影响，即在不同直流偏压下电容值保持恒定，而X7R或Y5V等Class II材料则会出现明显的容量下降。这一点对于高精度模拟信号路径中的耦合与去耦至关重要。
　　该器件具有非常低的介电损耗（Dissipation Factor, DF），通常低于0.1%，这表示其能量损耗极小，效率高，适合用于高频工作环境。同时，由于结构紧凑且采用多层陶瓷技术，CL10B224KO8NFNC拥有较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），有助于提升电源去耦效果并减少噪声干扰。在高速数字系统中，它可以有效抑制高频噪声，稳定供电电压。其0603小型封装不仅节省PCB空间，还便于高密度布局，适用于便携式设备和移动终端。
　　从可靠性角度来看，该电容器经过严格的质量控制流程制造，具备良好的抗湿性、耐热循环能力和机械强度。它符合AEC-Q200标准的部分测试要求，可用于汽车电子中的非关键系统。此外，产品支持无铅焊接工艺，兼容主流SMT生产线，回流焊温度曲线可满足JEDEC标准，确保批量生产时的良率和一致性。总体而言，CL10B224KO8NFNC凭借其卓越的稳定性、低损耗和高可靠性，成为众多高端电子设计中首选的固定陶瓷电容器之一。

CL10B224KO8NFNC因其优异的电性能和稳定性，被广泛应用于多种高性能电子系统中。在射频（RF）和无线通信模块中，常用于阻抗匹配网络、滤波电路和天线调谐回路，能够确保信号传输的稳定性和频率响应的一致性。在精密模拟电路中，例如运算放大器的反馈网络、有源滤波器和ADC/DAC参考电压旁路，该电容器可防止因温度或电压波动引起的误差，从而提高系统的测量精度和线性度。
　　在时钟和振荡器电路中，CL10B224KO8NFNC常作为晶体负载电容使用，保证振荡频率的准确性和长期稳定性，适用于微控制器、FPGA和其他需要高精度时基的数字系统。此外，在电源管理单元中，它可用于高频去耦，滤除开关电源引入的噪声，保护敏感模拟前端免受干扰。
　　消费类电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等也大量采用此类MLCC，以实现小型化与高性能的平衡。在汽车电子领域，包括车载信息娱乐系统、传感器接口和车身控制模块中，该器件能够在宽温环境下稳定运行，满足严苛的工作条件。工业控制系统、医疗仪器和测试测量设备同样依赖其可靠的性能来保障系统长期稳定运行。总之，凡是对电容稳定性、噪声抑制和高频响应有较高要求的应用场景，CL10B224KO8NFNC都是理想的选择。

CL10B224KO8NNNC
　　 GRM188R71H224KA01D
　　 C0603X7R1H224K030BA
　　 CL21B224KO8NNNC
　　 MC0603CGE500J