时间：2025/9/4 0:18:34
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40SS1140AX1 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率应用场合。这款 MOSFET 设计用于在高电压和高电流条件下提供高效能，广泛应用于电源管理、电机控制、DC-DC 转换器和电池管理系统等领域。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流：40A
最大漏源电压：100V
最大栅源电压：±20V
导通电阻（Rds(on)）：38mΩ @ Vgs=10V
功率耗散：200W
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
40SS1140AX1 具有低导通电阻特性，这使得它在高电流条件下能够最大限度地减少功率损耗并提高效率。
该器件的高耐压能力（100V）使其适用于多种高电压应用，例如电源供应器和电机控制电路。
由于其最大栅源电压为 ±20V，这款 MOSFET 能够与多种驱动电路兼容，简化了设计过程。
其高功率耗散能力（200W）确保了在严苛工作条件下依然保持稳定性能。
此外，40SS1140AX1 采用了先进的封装技术，具有良好的散热性能，从而提升了器件的可靠性和寿命。
40SS1140AX1 常用于电源管理设备，例如 DC-DC 转换器和开关电源，以提高能效并减小系统尺寸。
它适用于电机控制和驱动电路，提供高效的功率控制。
该器件也常见于电池管理系统（BMS）中，用于保护电池免受过流和过压的影响。
此外，40SS1140AX1 还广泛应用于工业自动化设备、电动汽车和储能系统等高功率场合。
IRF1405, FDP4032, IPW40R0360P7S
