时间：2025/9/3 11:19:08
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MRF604是一款由Motorola（现为NXP Semiconductors）生产的N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），专为射频（RF）功率放大应用设计。该器件适用于工作频率在VHF和UHF范围内的无线通信系统，如广播、工业和医疗设备中的高功率放大器。MRF604采用了TO-220封装形式，具备良好的散热性能，能够在高功率条件下稳定工作。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：60V
最大漏极电流（ID）：15A
最大功率耗散（PD）：200W
工作温度范围：-55°C至+150°C
输入电容（Ciss）：约1200pF
跨导（Gfs）：约5.5S
增益（Gps）：约18dB
封装形式：TO-220
MRF604具有出色的射频功率放大性能，适用于高频率、高功率的应用场景。其N沟道增强型MOSFET结构使其在VHF和UHF频段表现出优异的线性度和效率。该器件的高功率耗散能力（200W）使其能够在高功率条件下稳定运行，适用于广播和工业设备中的射频放大模块。
此外，MRF604具备良好的热稳定性，TO-220封装设计有助于高效散热，从而延长器件的使用寿命。其较高的跨导（Gfs）和增益（Gps）特性使其在放大电路中能够提供更强的信号增益，同时保持较低的失真率。该器件的输入电容较大（约1200pF），因此在设计匹配网络时需要特别考虑其输入阻抗特性，以确保良好的信号传输效率。
MRF604广泛应用于VHF和UHF频段的射频功率放大器中，常见于无线通信基站、广播发射机、工业加热设备以及医疗射频治疗设备等高功率射频系统中。该器件特别适用于需要高线性度和高效率的射频放大应用，如调频广播（FM）、陆地移动无线电（LMR）和业余无线电（Ham Radio）等系统中的功率放大模块。由于其高功率处理能力和良好的热稳定性，MRF604也常用于测试设备和射频信号发生器中，作为高功率输出级的核心元件。
RD16HHF1, MRF604R, IRF540N
