型号：401CNQ045
　　制造商：Vishay Semiconductors
　　器件类型：双通道N沟道MOSFET
　　封装类型：PowerPAK SO-8
　　漏源电压(VDS)：40 V
　　栅源电压(VGS)：±20 V
　　连续漏极电流(ID)，每通道：19 A（在TC=25°C）
　　脉冲漏极电流(IDM)：76 A
　　导通电阻(RDS(on))：最大11.5 mΩ（在VGS=10 V时）
　　导通电阻(RDS(on))：最大14.5 mΩ（在VGS=4.5 V时）
　　栅极电荷(Qg)：典型值23 nC（在VGS=10 V时）
　　输入电容(Ciss)：典型值1070 pF
　　工作结温范围(TJ)：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围(Tstg)：-55°C 至 +150°C
　　安装方式：表面贴装(SMT)
　　通道数：2
　　符合标准：RoHS，AEC-Q101

401CNQ045采用Vishay先进的TrenchFET?技术，实现了极低的导通电阻与优化的开关性能之间的平衡，显著提升了功率转换效率。其双通道N沟道结构允许在半桥或同步整流拓扑中实现紧凑设计，减少外围元件数量。每个通道的RDS(on)在VGS=10 V时低至11.5 mΩ，在4.5 V驱动条件下仍能保持14.5 mΩ的低阻值，确保在低电压逻辑控制下也能高效运行，兼容现代控制器的输出电平。该器件的栅极电荷Qg典型值仅为23 nC，大幅降低了驱动功耗，特别适用于高频开关应用如多相VRM、DC-DC模块等，有助于减小磁性元件尺寸并提升系统响应速度。
　　该MOSFET具备出色的热性能，得益于PowerPAK SO-8封装的低热阻设计，其结到外壳的热阻RθJC仅为1.5°C/W（每通道），便于热量快速传导至PCB，延长器件寿命并提高系统可靠性。此外，其反向传输电容Crss较低，减少了噪声耦合风险，增强了在高dv/dt环境下的抗干扰能力。器件还具有较低的体二极管反向恢复电荷Qrr，有助于减少开关过程中的能量损耗，尤其在同步整流应用中可避免因反向恢复引起的电压尖峰问题。
　　401CNQ045通过AEC-Q101认证，意味着其经过严格的应力测试，包括高温反偏、温度循环、机械冲击等，适用于汽车电子系统如车载充电器、电动助力转向、LED照明驱动等。同时，其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其能在极端环境下稳定工作。器件无铅且符合RoHS指令，支持环保生产工艺。总体而言，401CNQ045是一款集高性能、高可靠性与小型化于一体的双N沟道MOSFET，适用于对效率、尺寸和热管理有严苛要求的应用场合。

401CNQ045广泛应用于多种高效率电源转换系统中。其主要应用场景包括同步降压转换器，用于CPU核心供电、图形处理器供电以及服务器主板上的多相VRM设计，凭借其低RDS(on)和低Qg特性，可显著提升转换效率并降低温升。在DC-DC电源模块中，该器件常被用作上下管开关，适用于电信设备、网络交换机和基站电源单元。此外，它也适用于电池管理系统（BMS）、电动工具、无人机电源管理单元等便携式高功率设备，提供高效的能量传输路径。
　　在汽车电子领域，401CNQ045可用于车载信息娱乐系统电源、ADAS传感器供电、LED车灯驱动电路以及电子节气门控制模块。其AEC-Q101认证和宽温工作能力使其成为汽车级应用的理想选择。在电机驱动方面，该器件可用于小型BLDC电机的H桥驱动电路，实现精确的速度与方向控制，常见于家用电器如风扇、吸尘器和智能锁具中。
　　此外，401CNQ045还可用于热插拔控制器、负载开关和OR-ing电路，利用其快速开关能力和低导通损耗实现电源路径的高效管理。在大电流USB PD供电接口或Type-C电源开关中，该MOSFET能够安全地接通和断开负载，防止浪涌电流冲击。其小型化的PowerPAK SO-8封装也有助于在空间受限的移动设备中实现高功率密度设计。总之，该器件适用于所有需要高效率、高集成度和高可靠性的双N沟道MOSFET解决方案。

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　　 "SiR144DP-T1-GE3",
　　 "FDMS7680S",
　　 "IRLHS6296PbF",
　　 "CSD16404Q5"
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