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IRS20124S 发布时间 时间:2025/7/18 19:30:28 查看 阅读:2

IRS20124S 是一款由 Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的高集成度、高压、高速的半桥栅极驱动器 IC。该芯片主要用于驱动功率 MOSFET 或 IGBT(绝缘栅双极晶体管),适用于各种高功率开关电源、电机控制、DC-AC 逆变器、UPS(不间断电源)、D类音频放大器以及太阳能逆变器等应用领域。IRS20124S 采用先进的 HVIC(高压集成电路)技术,能够提供高达 600V 的电压隔离能力,确保在高电压环境下稳定运行。

参数

工作电压范围:10V 至 20V
  输出电流能力:高端和低端输出均为 200mA(典型值)
  最大工作电压:600V
  输入信号兼容性:3.3V、5V 和 15V 逻辑电平
  传播延迟时间:典型值为 200ns
  脉宽失真:典型值为 5ns
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装类型:SOIC-16

特性

IRS20124S 具有多个关键特性,使其在高压功率驱动应用中表现出色。首先,其内置的高端和低端栅极驱动器能够独立工作,并提供良好的匹配性和对称性,确保在半桥拓扑中实现高效开关。其次,该芯片采用自举供电方式,简化了外部电源设计,并具备欠压保护(UVLO)功能,当电源电压低于安全阈值时,自动关闭输出以保护功率器件。
  此外,IRS20124S 还具备强大的抗干扰能力,能够有效防止因高 dv/dt 引起的误触发,确保系统稳定运行。其输入信号兼容多种逻辑电平(如 3.3V、5V 和 15V),便于与各种控制器或 DSP 连接。芯片内部还集成了温度保护和交叉传导保护功能,进一步提升系统的安全性和可靠性。
  IRS20124S 的封装采用标准的 SOIC-16 形式,具有良好的热稳定性和机械强度,适用于工业级和汽车级应用环境。其低功耗设计也有助于提高系统效率,减少散热需求。

应用

IRS20124S 被广泛应用于各种高电压、高频率的功率电子系统中。例如,在 D 类音频放大器中,它用于高效驱动 MOSFET,实现高保真音频输出;在太阳能逆变器中,它负责控制功率开关的导通与关断,将直流电转换为交流电供家庭或电网使用;在 UPS 和开关电源中,该芯片用于构建半桥或全桥拓扑结构,实现高效的 DC-DC 或 DC-AC 转换。
  此外,IRS20124S 也常用于电机控制和电动汽车充电系统中,提供稳定可靠的栅极驱动解决方案。由于其具备高耐压能力和良好的热管理性能,该芯片在工业自动化设备、伺服驱动器以及家用电器(如变频空调)中也有广泛应用。

替代型号

IRS2001S、IRS2104S、LM5101B、FAN7392、NCP5103

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