类型：N沟道
　　最大漏极电流（ID）：19A
　　最大漏极-源极电压（VDS）：400V
　　最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.22Ω @ VGS = 10V
　　功率耗散（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-220

FDPF19N40 MOSFET 采用了先进的平面工艺技术和高密度单元设计，使其在高压条件下依然保持低导通电阻和优异的热性能。这种设计不仅提高了器件的能效，还降低了开关损耗，有助于减小整体系统的体积和重量。
　　此外，FDPF19N40具备较高的抗雪崩击穿能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定运行，增强了器件的可靠性和耐用性。该器件的快速开关特性使其适用于高频开关应用，有助于提高电源转换效率。
　　其TO-220封装提供了良好的散热性能，确保在高负载条件下仍能维持较低的结温，延长器件的使用寿命。FDPF19N40还具有较低的栅极电荷（Qg），从而减少了驱动电路的负担，使得该器件在高频率工作时更加高效。

FDPF19N40 主要应用于各种功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、电机驱动器、DC-AC逆变器、UPS系统、LED照明驱动电路以及工业自动化控制系统。由于其优异的电气性能和可靠性，该器件也广泛用于消费类电子产品、汽车电子系统和可再生能源系统（如太阳能逆变器）中。
　　在开关电源中，FDPF19N40用于主开关或同步整流器，以提高电源转换效率；在电机控制应用中，它可作为H桥驱动电路的核心元件，实现对电机速度和方向的精确控制；在逆变器和UPS系统中，该MOSFET用于将直流电转换为交流电，确保负载的连续供电。

IRF740, FQP19N40C, STP19N40Z