类型：功率MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大漏极电流（Id）：400A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.8mΩ
　　封装类型：TO-263（D2PAK）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　栅极电压（Vgs）：±20V
　　功率耗散（Pd）：300W
　　封装尺寸：10mm x 12.5mm
　　安装方式：表面贴装

400BXC1.8M10X12.5芯片采用先进的硅技术制造，具有非常低的导通电阻，从而降低了导通损耗并提高了整体系统的效率。其高电流处理能力使得该器件适用于高功率应用，同时保持较低的热量产生。此外，该MOSFET具有出色的热稳定性，能够在极端温度条件下正常工作，从而增强了系统的可靠性。
　　该器件的封装设计优化了散热性能，使其能够有效地将热量从芯片传导到散热器或PCB上，确保在高负载条件下的长期稳定性。TO-263封装还支持自动化贴装工艺，提高了生产效率和焊接质量。
　　400BXC1.8M10X12.5具备良好的短路耐受能力，能够在短时间内承受较高的电流冲击而不损坏。这种特性使其在电动车辆、逆变器以及电机控制等应用中具有很高的安全性。
　　此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽（±20V），使其能够兼容多种驱动电路设计，提高了其在不同应用中的适应性。该芯片还具备较低的开关损耗，适合高频开关应用，有助于减小外围电路的尺寸并提高系统效率。
　　从电气性能来看，400BXC1.8M10X12.5在导通状态下的电压降非常低，有助于提高能源利用率并减少热量生成，从而延长设备的使用寿命。同时，该器件的快速开关特性减少了能量损耗，进一步提升了系统的整体效率。

400BXC1.8M10X12.5广泛应用于多种高功率电子系统中，包括但不限于电动汽车（EV）的功率管理系统、直流-交流逆变器（DC-AC Inverter）、不间断电源（UPS）、工业电机驱动器、太阳能逆变器以及电池管理系统（BMS）。此外，它还可用于高功率DC-DC转换器、充电站设备以及高频电源开关电路中。由于其高耐压和高电流能力，该器件在电力电子系统中扮演着关键角色，确保系统在高负载条件下仍能稳定运行。
　　在电动汽车领域，400BXC1.8M10X12.5可用于主驱动逆变器、车载充电器（OBC）和DC-DC转换器，提供高效能和高可靠性的功率转换能力。在太阳能逆变器中，该MOSFET用于将光伏板产生的直流电转换为交流电，以供家庭或电网使用。其低导通电阻和快速开关特性使其在高频电源转换应用中具有显著优势。
　　此外，在工业自动化和电机控制领域，该芯片用于高性能电机驱动器，支持精确的转速和扭矩控制。其优异的热管理和短路保护特性使其在严苛环境下依然能保持稳定运行。在UPS系统中，400BXC1.8M10X12.5用于高效的电能转换，确保在市电中断时能够无缝切换至备用电源，保障关键设备的持续运行。

IXFN400N10T, IXYS
　　STP400N10F7AG, STMicroelectronics
　　IPB400N10N5AG, Infineon
　　FDMS86180, ON Semiconductor