TESDL3V31BD82 是一款高性能的双极性晶体管(BJT),主要用于高频放大和开关应用。该晶体管采用先进的工艺制造,具有低噪声、高增益和出色的频率响应特性,适用于无线通信设备、射频模块和其他高频电子电路中。
集电极-发射极电压(Vce):45V
集电极电流(Ic):1A
直流电流增益(hFE):100-300
过渡频率(fT):3GHz
功率耗散(Ptot):2W
结温范围:-55℃至150℃
封装类型:SOT-23
TESDL3V31BD82 晶体管具备以下显著特性:
1. 高增益性能,适合在信号放大器中使用。
2. 支持高达 3GHz 的过渡频率,使其非常适合高频应用。
3. 封装紧凑,便于表面贴装技术(SMT)生产。
4. 良好的热稳定性和可靠性,能够在较宽的温度范围内工作。
5. 具有较低的噪声系数,保证了在射频电路中的优异表现。
TESDL3V31BD82 广泛应用于以下领域:
1. 射频和无线通信模块中的信号放大。
2. 高频开关电源和振荡器设计。
3. 音频设备中的前置放大器。
4. 工业控制及自动化系统中的信号调节电路。
5. 医疗仪器和测试测量设备中的高频信号处理单元。
2SC3358, MMBT3904LT1G