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3SK238XW-TL 发布时间 时间:2025/9/7 9:32:13 查看 阅读:6

3SK238XW-TL 是一款由东芝(Toshiba)生产的N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),主要用于高频开关和功率放大应用。这款MOSFET采用了先进的沟槽栅技术,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,适合用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动器以及消费类电子产品中的功率控制电路。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  漏源电压(VDS):30V
  栅源电压(VGS):10V
  连续漏极电流(ID):6A
  导通电阻(RDS(on)):45mΩ @ VGS=10V,75mΩ @ VGS=4.5V
  功率耗散(PD):2W
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装形式:SOP-8

特性

3SK238XW-TL MOSFET的核心优势在于其低导通电阻和高开关性能,使其在功率转换应用中表现出色。该器件采用先进的沟槽栅结构,提高了载流能力和导通效率,同时降低了开关损耗。其SOP-8封装形式不仅节省空间,而且具备良好的散热性能,适用于高密度电路设计。
  此外,该MOSFET具有良好的热稳定性,能够在较高的温度环境下稳定工作,增强了其在工业和消费类应用中的可靠性。其栅极驱动电压兼容常见的4.5V至10V范围,便于与各种控制电路配合使用,例如PWM控制器和微处理器。

应用

3SK238XW-TL MOSFET广泛应用于多个领域,包括但不限于:
  ? DC-DC转换器:用于升压、降压或反相电路中,实现高效的能量转换;
  ? 电源管理系统:在便携式设备、笔记本电脑和服务器中作为负载开关或功率调节元件;
  ? 马达驱动电路:用于小型电机或步进电机的驱动控制;
  ? 电池保护电路:作为充放电路径的开关元件,确保电池安全工作;
  ? LED驱动器:用于调节高亮度LED的电流,实现高效的照明控制;
  ? 工业自动化设备:作为功率开关用于PLC、传感器和执行器控制电路中。

替代型号

Si2302DS、AO3400、FDN340P、FDS6680、2SK3019

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