时间：2025/9/6 23:11:53
阅读：19
3SK186FI是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由东芝（Toshiba）生产，广泛应用于电源管理和功率放大器等电路中。该器件具有低导通电阻、高功率处理能力和快速开关特性，适用于高频电源转换和音频放大器等场景。
类型：N沟道
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：15A
功耗（PD）：40W
导通电阻（RDS(on)）：0.045Ω（最大值）
工作温度范围：-55°C至+150°C
3SK186FI具有低导通电阻，可以有效降低导通损耗，提高系统效率。其N沟道增强型结构确保了良好的开关性能和热稳定性。该MOSFET封装为TO-220AB，具备良好的散热能力，适用于高功率密度设计。
此外，该器件的栅极驱动要求较低，可以与常见的PWM控制器兼容，简化了驱动电路设计。其高耐压特性使其在多种DC-DC转换器、电机控制和负载开关应用中表现出色。
3SK186FI还具有良好的抗雪崩能力，增强了在高能脉冲环境下的可靠性。其封装符合RoHS环保标准，适用于工业级和消费类电子产品。
该器件常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、马达驱动器、音频功率放大器、电池管理系统（BMS）以及负载开关控制电路中。由于其高效率和高可靠性，也广泛应用于汽车电子、工业控制和消费电子设备中的功率管理模块。
IRFZ44N, FDPF15N60, 2SK2647
