时间：2025/8/18 15:54:54
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3SK165-1E-T7 是一款由日本东芝（Toshiba）公司生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高频开关和功率放大应用。该器件采用先进的平面工艺技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。该MOSFET采用SOT-223封装，适合用于紧凑型功率电路设计，如DC-DC转换器、电池管理系统、开关电源和音频放大器等应用。3SK165-1E-T7具有较高的可靠性，并在工作温度范围内保持稳定的电气性能。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
最大漏极电流（ID）：100mA
导通电阻（RDS(on)）：约10Ω @ VGS = 10V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-223
功率耗散（PD）：100mW
输入电容（Ciss）：约10pF
3SK165-1E-T7 MOSFET的主要特性包括低导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗并提高效率，适用于高频率开关应用。该器件具有较高的栅极击穿电压（±20V），允许在较高的栅极驱动电压下安全工作，同时具备良好的抗过载能力。
此外，该MOSFET采用SOT-223封装，体积小巧，便于在空间受限的电路板上布局，同时具备较好的散热性能。其高开关速度特性使其适用于高频DC-DC转换器和脉宽调制（PWM）控制电路。
由于其在宽温度范围内的稳定性，3SK165-1E-T7可在各种环境条件下稳定运行，适用于消费类电子、便携式设备、工业控制系统和汽车电子中的低功率开关和放大应用。该器件还具备较低的输入电容，有助于减少开关损耗并提高响应速度。
3SK165-1E-T7 主要应用于低功率开关电路、高频DC-DC转换器、电池管理系统、LED驱动电路、便携式电子设备中的电源管理模块、音频功率放大器的偏置控制电路，以及工业自动化和传感器系统中的信号切换电路。此外，它也可用于继电器驱动、电机控制和低功耗逆变器设计。
2SK30ATM、2SK2465、2SK30A、2SK170BL、2SK241
