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FAN8045D3 发布时间 时间:2025/8/24 20:49:37 查看 阅读:18

FAN8045D3是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)设计的双路低边MOSFET驱动器芯片,采用先进的BCD工艺制造,适用于高性能电源转换系统,如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关控制等应用。该芯片集成了两个独立的MOSFET驱动器,能够驱动N沟道功率MOSFET,具有高驱动能力和良好的抗干扰性能。

参数

封装类型:TSOP
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  电源电压范围:4.5V 至 20V
  输出驱动电流:±5A(典型值)
  输入逻辑电平:兼容3.3V/5V TTL/CMOS
  传播延迟:典型值15ns
  上升/下降时间:典型值6ns(10%至90%)
  输入电容:约5pF
  输出电容:约1000pF
  最大工作频率:1MHz以上
  封装引脚数:8引脚

特性

FAN8045D3具有多个高性能特性,包括高驱动电流能力、快速开关响应和低传播延迟,适用于高频开关电源应用。
  其双路驱动器设计允许独立控制两个MOSFET,提高了系统设计的灵活性。
  芯片内部集成的欠压锁定(UVLO)功能可防止在电源电压不足时误操作,从而提高系统的稳定性与可靠性。
  此外,FAN8045D3具有良好的热稳定性和过温保护功能,能够适应恶劣的工作环境。
  该器件的输入端具有高阻抗特性,降低了对控制器的负载影响,同时具备较强的抗噪声干扰能力。
  其TSOP封装形式有助于节省PCB空间,适用于紧凑型电源模块设计。
  由于其宽输入电压范围,FAN8045D3可用于多种电源拓扑结构,如Buck、Boost、同步整流等电路中。

应用

FAN8045D3广泛应用于各类高效率电源系统,包括DC-DC转换器、负载开关、同步整流器、电机驱动器、工业电源、服务器电源、电信设备电源以及汽车电子系统中的功率管理模块。
  特别适用于需要高频开关和高驱动能力的场合,如VRM(电压调节模块)、POL(负载点电源)转换器等。
  在电源管理系统中,该芯片可用于驱动主功率MOSFET,实现高效的能量转换。
  此外,FAN8045D3也可用于电池管理系统中的充放电控制电路,确保系统安全可靠运行。
  在新能源领域,如光伏逆变器、储能系统中,该芯片同样具有广泛的应用潜力。
  其紧凑的封装和高性能特性使其成为现代高密度电源设计的理想选择。

替代型号

Si8230BB-D-ISR、LM5114MM/NOPB、IRS2004PBF、TC4420CPA、NCP8104DR2G

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