TD1720MR 时间：2025/5/8 13:01:55 阅读：9

TD1720MR是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景。该器件采用TO-220封装形式，具有低导通电阻和高电流处理能力的特点，能够有效降低功率损耗并提升系统效率。
　　该型号由东芝（Toshiba）公司生产，适用于多种工业和消费电子领域，凭借其优异的性能和可靠性，在市场中占据重要地位。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大栅源电压：±20V
　　最大漏极电流：50A
　　导通电阻（典型值）：3.4mΩ
　　总功耗：150W
　　工作结温范围：-55℃至175℃

特性

TD1720MR具有以下显著特点：
　　1. 极低的导通电阻，可减少功率损耗，提高效率。
　　2. 高电流承载能力，适合大功率应用环境。
　　3. 快速开关速度，有助于降低开关损耗。
　　4. 强大的热稳定性，能够在宽温度范围内可靠运行。
　　5. 符合RoHS标准，环保且易于集成到现代设计中。
　　6. TO-220封装便于散热管理，并支持表面贴装或通孔安装方式。

应用

TD1720MR适用于以下应用场景：
　　1. 开关电源（SMPS）中的主开关元件。
　　2. DC-DC转换器的核心功率开关。
　　3. 各类电机驱动电路，如步进电机、无刷直流电机等。
　　4. 电池管理系统中的负载开关或保护开关。
　　5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
　　6. 汽车电子领域的电源管理单元。