3N80C 时间：2025/12/29 13:58:46 阅读：18

3N80C 是一款常用的功率场效应晶体管（MOSFET），广泛用于电源管理、功率开关和放大电路中。该器件采用N沟道结构，具有较高的耐压能力和较大的工作电流，适合中高功率应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：800V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　漏极电流（Id）：3A
　　导通电阻（Rds(on)）：< 2.5Ω
　　功耗（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

3N80C MOSFET 具备优良的导通特性和较高的耐压能力，适用于需要高稳定性和高可靠性的电路设计。其主要特性包括：
　　1. 高耐压设计：漏源电压最大可达800V，适用于高压环境下的功率控制。
　　2. 低导通电阻：Rds(on) 通常低于2.5Ω，有效减少导通损耗，提高系统效率。
　　3. 高电流能力：连续漏极电流为3A，适用于中等功率的开关和放大应用。
　　4. 热稳定性好：在高温环境下仍能保持稳定工作，适合用于高可靠性设备中。
　　5. 易于驱动：栅极驱动电压范围宽，适合多种驱动电路设计。
　　6. 封装形式为TO-220，具有良好的散热性能，便于安装在散热器上。

应用

3N80C MOSFET 常用于以下应用领域：
　　1. 电源管理：如开关电源、DC-DC转换器和AC-DC适配器中的功率开关。
　　2. 电机控制：用于直流电机或步进电机的驱动电路中，实现高效功率控制。
　　3. 照明系统：在LED驱动电路或高压照明设备中作为开关元件使用。
　　4. 家用电器：如电磁炉、电饭煲等产品中的功率控制模块。
　　5. 工业自动化：用于PLC控制、继电器替代或自动控制系统中的功率开关。
　　6. 电池管理系统：在电池充放电保护电路中实现高效能开关控制。