时间：2025/6/29 12:12:02
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RF15N100J101CT 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于高频开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等应用。它能够在高达 100V 的电压下工作，同时提供出色的电流处理能力。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：15A
导通电阻：0.03Ω
栅极电荷：42nC
开关时间：典型值 t(on)=30ns, t(off)=25ns
结温范围：-55℃至+175℃
RF15N100J101CT 使用了先进的制造工艺，具备以下特点：
1. 高效的功率转换性能，得益于其低导通电阻。
2. 快速开关速度，有助于减少开关损耗。
3. 强大的热管理能力，确保在高温环境下也能稳定运行。
4. 出色的抗静电能力 (ESD)，增强了器件的可靠性。
5. 小型封装设计，适合紧凑型电路布局。
这款功率 MOSFET 广泛应用于多种电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机控制和驱动电路。
3. 各种负载开关和保护电路。
4. 工业自动化中的功率控制模块。
5. 电动汽车和混合动力汽车的电池管理系统 (BMS) 中的关键组件。
RF15N100K101CT, IRF15N100G, FDP15N100
