类型：N沟道MOSFET
　　封装类型：TO-92
　　最大漏极电流（ID）：200mA
　　最大漏源电压（VDS）：40V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on))：约10Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　增益带宽：约50MHz
　　漏极-源极击穿电压：40V

3N73的主要特性包括低导通电阻、快速开关速度和良好的热稳定性。这些特性使得该器件在电源管理和开关应用中具有优异的性能表现。此外，3N73还具备较高的可靠性和耐用性，能够在恶劣的工作环境中保持稳定运行。其快速的开关速度可以有效减少开关损耗，提高整体系统的效率。同时，该器件的封装设计有助于散热，确保长时间工作时的稳定性。
　　在电气性能方面，3N73具有较低的栅极电荷，这有助于降低开关过程中的能量损耗，从而提高效率。此外，其较低的漏源导通电阻（RDS(on))能够减少导通状态下的功率损耗，提升系统的整体性能。3N73还具有较强的抗干扰能力，能够在复杂的电磁环境中保持稳定的工作状态。这些特性使其成为许多高性能电子设备的理想选择。

3N73广泛应用于各种电子设备，包括电源管理模块、开关电路、功率放大器、DC-DC转换器以及电机驱动电路等。在电源管理领域，3N73可用于高效能的DC-DC转换器，提供稳定的电压输出。在开关电路中，它能够快速地切换高电流负载，适用于需要频繁开关的应用场景。此外，3N73还可用于信号放大和控制电路，提供良好的增益和线性度。在电机驱动应用中，该器件可以有效地控制电机的转速和方向，适用于小型电机控制和自动化设备。

2N7000, 2N7002, BS170, IRFZ44N