类型：NPN晶体管阵列
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　最大集电极电流（IC）：150mA
　　功率耗散（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：SOP（小型封装）
　　晶体管数量：4个
　　增益带宽积（fT）：250MHz
　　电流增益（hFE）：110（最小值）

ECN30107SPR具备一系列优异的电气和物理特性，使其成为电子设计中的理想选择。首先，其NPN型晶体管结构支持高效的电流放大和开关操作，适用于数字和模拟电路的多种应用场景。其次，该器件的集电极-发射极电压（VCEO）为50V，最大集电极电流为150mA，能够在中等功率应用中稳定工作。此外，ECN30107SPR的增益带宽积为250MHz，能够支持高频信号的处理和放大。
　　该器件的电流增益（hFE）最低为110，确保在各种电路条件下都能提供良好的放大性能。ECN30107SPR的封装形式为SOP（小型封装），适合高密度PCB布局，并且具有良好的散热性能，能够在300mW的功率耗散下稳定运行。器件的工作温度范围为-55°C至150°C，适用于工业级和汽车电子等严苛环境中的应用。

ECN30107SPR广泛应用于多个电子领域，包括消费电子、工业自动化、汽车电子和通信设备。在消费电子领域，该器件可用于驱动LED、继电器和小型电机等负载。在工业自动化中，ECN30107SPR可以用于PLC（可编程逻辑控制器）中的信号处理和逻辑控制电路。在汽车电子系统中，该器件适用于传感器信号放大、继电器驱动和车载通信模块的设计。
　　此外，ECN30107SPR也常用于通信设备中的高频信号放大和调制解调电路。由于其高集成度和小型化封装，该器件在便携式电子产品中也得到了广泛应用，如智能手机、平板电脑和智能穿戴设备等。在嵌入式系统和微控制器应用中，ECN30107SPR可以作为驱动器或缓冲器，增强信号传输的稳定性和可靠性。

2SC3199, 2SC1815, ECN30106SPR