类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大连续漏极电流（ID）：8A
　　最大功耗（PD）：40W
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.25Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

3N72 MOSFET具备以下主要特性：
　　首先，它具有较高的漏源击穿电压（100V），使其适用于多种中压功率应用，例如DC-DC转换器和电机驱动电路。
　　其次，该器件的最大连续漏极电流为8A，能够支持较高功率负载的开关控制，适用于电源管理和功率放大器设计。
　　3N72的导通电阻约为0.25Ω，在当时的MOSFET中属于较低水平，这有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。
　　此外，该晶体管的封装形式为TO-220，具有良好的散热性能，适合安装在散热片上以提高热稳定性。
　　其栅极驱动电压范围为±20V，设计时需要注意栅极驱动电路的限制，以防止栅极氧化层击穿。
　　由于其良好的稳定性和可靠性，3N72在工业控制和电源转换设备中得到了广泛应用，尽管在现代设计中可能已被性能更优的新型MOSFET取代，如IRF系列或SiHF系列器件。

3N72 MOSFET的主要应用包括：
　　首先，它常用于开关电源（SMPS）中作为主开关晶体管，负责将输入的直流电压转换为高频交流信号，以便通过变压器进行电压变换。
　　其次，该器件适用于电机控制电路，例如H桥驱动器中的开关元件，用于控制直流电机的方向和速度。
　　此外，3N72可用于逆变器和UPS（不间断电源）系统中，作为核心的功率切换元件。
　　在音频放大器设计中，3N72也可用于功率放大级，特别是在低频和中频放大电路中。
　　工业自动化设备中的负载开关控制也是其典型应用之一，如控制加热元件、继电器或电磁阀的开启与关闭。
　　尽管现代电子设计中已有更高效、更低导通电阻的MOSFET可供选择，但在一些老式设备或对性能要求不特别苛刻的应用中，3N72仍可作为可靠的替代器件使用。

IRF540, SiHF540, 2N6756