类型：双共阴极肖特基二极管混频器
　　频率范围：50 kHz 至 200 MHz
　　正向电压（Vf）：约 0.35 V（典型值）
　　反向击穿电压（Vbr）：7 V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-26（SC-74）
　　二极管电容（C）：约 2.5 pF（典型值）

HSMS-282E-TR2G 具有多个显著特性，使其在射频混频应用中表现出色。首先，该器件采用双共阴极肖特基二极管结构，能够提供出色的线性度和低失真性能，从而确保混频过程中信号的完整性。其次，其宽频率范围（50 kHz 至 200 MHz）使其适用于多种射频和中频应用，包括调制解调器、频谱分析仪和无线基站等设备。
　　此外，HSMS-282E-TR2G 的低正向电压降（典型值 0.35 V）有助于降低功耗并提高效率，这在高集成度和高功耗敏感的应用中尤为重要。其反向击穿电压为 7 V，能够在较宽的电压范围内稳定工作，提供更高的系统可靠性。
　　该器件的封装形式为 SOT-26（也称为 SC-74），这是一种常见的表面贴装封装，具有良好的热稳定性和机械强度，适用于自动化生产和高密度 PCB 布局。其二极管电容约为 2.5 pF，能够在高频条件下保持良好的响应特性。
　　HSMS-282E-TR2G 还具有优异的温度稳定性，工作温度范围从 -55°C 到 +150°C，适合在极端环境条件下运行，如工业控制和户外通信设备。这使得它成为高可靠性系统的理想选择。

HSMS-282E-TR2G 主要用于射频和中频信号处理领域。典型应用包括无线通信系统的混频器模块、测试与测量设备中的信号转换电路、频谱分析仪的前端混频器、调制解调器的射频接口以及各类工业和商业射频接收器。此外，该器件也可用于信号检测、频率合成和功率检测等应用，广泛适用于蜂窝基站、卫星通信、广播设备和射频识别（RFID）系统等场景。

HSMS-282C-TR1G, HSMS-2850-TR1G, HSMS-2822-TR1G