时间：2025/4/28 20:24:30
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IPP200N25N3 G是Infineon（英飞凌）公司生产的一款高压功率MOSFET，属于P沟道增强型器件。该器件采用TO-247封装形式，适合用于高电压和大电流应用场合。它广泛应用于工业和汽车领域，例如开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等场景。其高效率和低导通电阻特性使其成为许多电力电子设计的理想选择。
最大漏源电压：250V
连续漏极电流：200A
导通电阻（典型值）：1.8mΩ
栅极电荷：69nC
总电容（输入电容）：3440pF
工作结温范围：-55℃至175℃
IPP200N25N3 G具有较低的导通电阻，有助于减少传导损耗，从而提高系统效率。
它采用了先进的工艺技术，确保了较高的可靠性和稳定性。
该器件具备快速开关性能，能够有效降低开关损耗。
此外，它还拥有出色的热性能，能够在高温环境下正常工作。
在电气隔离和保护方面表现优异，适合多种严苛的工作环境。
IPP200N25N3 G适用于各种高压和大电流场景下的电力电子设备。
典型应用包括但不限于：开关电源、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电动汽车充电装置、工业电机控制以及各类DC-DC转换器。
由于其高效率和大电流承载能力，该器件也常用于需要高性能功率管理的场合。
IPP200N25S3G, IRFP250N
