型号：3N70G-TN3-R
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：700 V
　　连续漏极电流（ID）：2.5 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：10 A
　　栅源电压（VGS）：±30 V
　　导通电阻RDS(on)：2.8 Ω（@ VGS=10V）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：3.0 V ~ 5.0 V
　　输入电容（Ciss）：35 pF
　　输出电容（Coss）：16 pF
　　反向恢复时间（trr）：34 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-223

3N70G-TN3-R具备优异的电气性能和热稳定性，其最大漏源击穿电压高达700V，能够在高压开关应用中提供可靠的阻断能力，有效防止因过压导致的器件损坏。该MOSFET的导通电阻典型值为2.8Ω，在同类高压器件中处于较低水平，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提升系统效率，尤其是在持续负载运行条件下表现突出。由于采用了先进的沟槽型MOSFET工艺技术，该器件具有良好的载流子迁移率和较低的栅极电荷（Qg），从而实现了快速的开关响应速度，降低了开关过程中的能量损耗，适用于高频开关电源设计。
　　该器件的栅极驱动电压范围宽广，推荐工作VGS为10V，但可在较低电压下实现有效导通，兼容多种驱动IC输出电平。其栅极阈值电压范围为3.0V至5.0V，确保在不同温度和工艺偏差下仍能稳定开启。输入电容和输出电容分别为35pF和16pF，较小的寄生电容减少了高频工作时的无功功率消耗，并有助于抑制振铃现象的发生。
　　在热管理方面，SOT-223封装提供了良好的散热路径，通过背部导热片可将芯片热量有效传导至PCB上的大面积铜箔或散热器，从而延长器件寿命并提升长期运行可靠性。该MOSFET符合RoHS环保标准，无铅且符合绿色电子产品要求。内置的体二极管具有一定的反向恢复能力，其反向恢复时间trr为34ns，适用于需要快速续流的应用场景，如反激式电源或H桥驱动中的换向过程。

3N70G-TN3-R常用于多种中高电压开关电源拓扑结构中，包括反激式转换器、正激式转换器以及升压型DC-DC变换器，尤其适合用于离线式电源设计，其中输入电压经过整流后可达数百伏，因此需要高耐压的开关器件来保证安全与稳定。该器件也广泛应用于LED驱动电源，特别是在高压恒流输出方案中，凭借其高耐压和良好开关特性，能够实现高效的能量转换和稳定的输出控制。
　　在工业控制系统中，3N70G-TN3-R可用于继电器替代、固态开关、电机启停控制等场合，作为负载开关实现对感性或阻性负载的通断控制。其SOT-223封装便于安装在紧凑型控制模块中，同时具备足够的电流承载能力满足多数中小功率设备需求。
　　此外，该MOSFET还适用于电池管理系统（BMS）、逆变器前端开关、充电器电路以及电信设备中的电源模块。在这些应用中，器件的高可靠性、长寿命和抗干扰能力强的特点得到了充分发挥。对于需要隔离式供电的仪表、传感器接口电路，3N70G-TN3-R也可作为初级侧开关元件参与能量传输过程。

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　　 "3N70G",
　　 "SIHF70N04",
　　 "STP2N70"
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