IRFR120A 是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件广泛应用于需要高效功率转换的场合,例如开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等。其设计采用了先进的功率MOSFET制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著降低功率损耗并提高系统效率。
该器件封装为TO-220,支持大电流输出,并且具备良好的散热性能。此外,它还拥有出色的雪崩击穿能力和抗静电能力,能够在严苛的工作条件下保持稳定运行。
最大漏源电压:200V
最大连续漏极电流:7.6A
最大脉冲漏极电流:35A
导通电阻:0.18Ω
栅极电荷:45nC
输入电容:1250pF
总功耗:115W
工作结温范围:-55℃至+150℃
1. 低导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗,提升整体效率。
2. 高速开关性能,适合高频应用场合。
3. 具备较高的雪崩击穿能量承受能力,增强了器件在异常条件下的可靠性。
4. 支持大电流输出,适用于多种功率处理场景。
5. TO-220标准封装形式,易于安装和集成到现有电路设计中。
6. 工作温度范围广,可在极端环境下稳定运行。
1. 开关电源(SMPS)中的功率级开关。
2. DC-DC转换器的核心功率元件。
3. 电机驱动控制电路中的功率开关。
4. 各类负载开关和保护电路。
5. 能量回收系统中的逆变器和整流器。
6. 电池管理系统(BMS)中的功率路径管理元件。
IRFZ44N, IRFR240PBF, STP16NF06L