时间:2025/10/28 9:27:06
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IRG4PC50KD是一款由Infineon Technologies(英飞凌)推出的高性能功率MOSFET器件,专为高频率、高效率的开关电源应用而设计。该器件采用先进的沟道栅极和场截止技术,具备低导通电阻、快速开关速度以及出色的热稳定性,广泛应用于工业电机控制、开关模式电源(SMPS)、逆变器、不间断电源(UPS)以及照明镇流器等场景。IRG4PC50KD属于Insulated Gate Bipolar Transistor(IGBT)系列,结合了MOSFET的高输入阻抗与双极型晶体管的低导通压降优势,能够在中高功率条件下实现高效能转换。该器件封装在TO-247封装中,具有良好的散热性能和机械强度,适用于需要高可靠性和长寿命的工业级应用环境。其额定电压为1200V,最大集电极电流可达50A,适合在高温环境下稳定运行。此外,该IGBT内置反向恢复快恢复二极管,进一步提升了系统在感性负载下的可靠性与效率。
类型:IGBT
集射极击穿电压(BVCES):1200 V
集电极电流(IC @ TC=25°C):50 A
集电极电流(IC @ TC=100°C):30 A
栅极-发射极电压(VGES):±20 V
功耗(PD):309 W
导通饱和电压(VCE(sat) @ IC=25A, VGE=15V):2.15 V
开关频率典型值:50 kHz
输入电容(Ciss):6300 pF
输出电容(Coss):170 pF
反向恢复时间(trr):48 ns
工作结温范围(Tj):-55 °C 至 +150 °C
封装类型:TO-247
IRG4PC50KD具备优异的动态和静态电气特性,使其成为中高功率电力电子系统中的理想选择。首先,其1200V的高阻断电压能力使其能够适应高压直流母线系统,在太阳能逆变器和工业电机驱动中表现出色。其次,该器件在25A工作电流下仅具有2.15V的低集射极饱和电压,显著降低了导通损耗,从而提升整体系统效率。这种低VCE(sat)特性还减少了热耗散,有助于简化散热设计并提高功率密度。
该IGBT采用了先进的场截止(Field Stop)结构,优化了载流子分布,实现了快速开关响应。其开通延迟时间(td(on))约为45ns,关断延迟时间(td(off))约为110ns,配合较低的输入和输出电容,使得器件可在高达50kHz甚至更高的频率下高效运行。这对于减少磁性元件体积、提升电源小型化水平至关重要。
IRG4PC50KD内置了一个快速恢复二极管,其反向恢复时间(trr)仅为48ns,且具有软恢复特性,有效抑制了关断过程中的电压尖峰和电磁干扰(EMI),提高了系统在感性负载切换时的安全性和稳定性。此外,该二极管的正向压降较低,进一步减少了续流过程中的能量损耗。
该器件支持±20V的栅极电压耐受能力,增强了对栅极驱动电路噪声的容忍度,防止因过压导致误触发或器件损坏。其宽广的工作结温范围(-55°C至+150°C)确保了在极端环境温度下的长期可靠性,符合工业级应用标准。TO-247封装提供了优良的热传导路径,便于安装散热器,适用于大功率连续运行场景。同时,该封装具有较高的爬电距离和电气隔离能力,增强了系统的安全等级。
IRG4PC50KD广泛应用于多种高功率、高效率的电力电子系统中。在工业领域,常用于交流电机驱动器和可调速驱动装置,作为主开关元件实现精确的PWM控制,提供平稳的电机启动和调速功能。在可再生能源系统中,尤其是在光伏并网逆变器中,该IGBT负责将太阳能板产生的直流电高效地转换为交流电并馈入电网,其高耐压和低损耗特性极大提升了能源转换效率。
在开关模式电源(SMPS)中,特别是大功率通信电源、服务器电源和医疗设备电源中,IRG4PC50KD可用于PFC(功率因数校正)电路或主DC-DC变换拓扑,如半桥或全桥结构,实现高功率密度和高能效的设计目标。此外,在不间断电源(UPS)系统中,该器件用于逆变级,确保市电中断时仍能持续为关键负载供电,其快速响应能力和高可靠性保障了系统的稳定运行。
照明应用方面,IRG4PC50KD可用于高强度气体放电灯(HID)或感应式照明系统的电子镇流器中,提供高频交流输出,延长灯具寿命并提高光效。在电焊机、感应加热和电动汽车充电设备等高电流、高电压场合,该IGBT也展现出卓越的性能表现。得益于其坚固的封装和热稳定性,IRG4PC50KD特别适合在恶劣工业环境中长期运行,是现代电力电子系统中不可或缺的核心功率器件之一。
IRG4PH50KD, IRGP450KD, FGA60N120ANTD, STGW40NC120HD