类型：N沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压(Vdss)：700V
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　连续漏极电流(Id)：3A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(Idm)：12A
　　导通电阻(Rds(on))：≤2.2Ω @ Vgs=10V
　　阈值电压(Vgs(th))：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容(Ciss)：600pF @ Vds=25V
　　输出电容(Coss)：150pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间(trr)：无内置二极管
　　最大功耗(Pd)：50W
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220/TO-247

3N70-HC具备出色的高压阻断能力和优良的导通性能，使其在高效率电源设计中表现出色。其700V的漏源击穿电压确保了在面对市电波动、雷击浪涌或变压器反峰电压时仍能安全运行，避免因过压导致的器件击穿。该MOSFET采用了先进的平面硅工艺技术（Planar Technology），结合优化的元胞结构设计，在保证高耐压的同时显著降低了单位面积下的导通电阻（Rds(on)），从而减少导通损耗，提高系统整体能效。
　　器件的栅极氧化层经过特殊处理，支持±30V的栅源电压耐受能力，增强了对异常驱动信号或噪声干扰的抵抗能力，降低误触发风险。同时，其较低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）有助于减少开关过程中的充放电能量损失，实现更快的上升和下降时间，适用于数十千赫兹至数百千赫兹的高频开关应用场景。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，热阻（RθJC）较低，配合适当的散热片可有效将芯片热量传导至外部环境，防止局部过热引发热失控现象。
　　3N70-HC还具备优秀的雪崩能量耐受能力（如果数据手册标明），可在短时过载或电感放电过程中吸收一定能量而不损坏，进一步提升了系统鲁棒性。其安全工作区（SOA）宽广，允许在启动瞬间或故障状态下承受较高的电流应力。值得注意的是，由于该器件不集成体二极管，设计者必须在外围电路中配置合适的续流路径，尤其是在驱动变压器或电机等感性负载时，否则可能导致反向电压击穿。总体而言，3N70-HC以其高耐压、适中电流、低损耗和高可靠性的综合优势，成为中小功率开关电源领域的重要选择之一。

3N70-HC主要应用于各类中低功率的开关模式电源（SMPS）系统中，特别是在需要直接接入交流电网的离线式电源设计中表现突出。常见应用包括：通用AC-DC适配器、手机充电器、LED驱动电源、家用电器电源模块、工业控制电源单元以及电信设备供电系统等。在这些应用中，3N70-HC通常作为主开关管使用于反激式（Flyback）、正激式（Forward）或半桥拓扑结构中，负责将整流后的高压直流电进行高频斩波，通过变压器实现电压变换与电气隔离。
　　此外，该器件也适用于DC-DC升压或降压转换器中的高压侧开关，尤其在输入电压较高的场合，如太阳能微逆变器、电池管理系统（BMS）中的均衡电路或高压母线控制。由于其具备良好的动态响应特性，3N70-HC还可用于脉冲功率系统、电子镇流器、小型UPS不间断电源以及电机驱动控制器中，作为功率开关元件执行启停或调速功能。
　　在工业自动化领域，该MOSFET可用于PLC输出模块、固态继电器（SSR）或电磁阀驱动电路，替代传统机械继电器，实现无触点、长寿命、低噪声的控制方式。同时，得益于其紧凑的TO-220或TO-247封装，3N70-HC易于安装在标准PCB上并配合散热器使用，适合大批量自动化生产。对于需要符合能效标准（如Energy Star、ERP Lot 6）的产品设计，选用此类低导通损耗的MOSFET有助于提升整体效率等级。总之，3N70-HC凭借其高压、耐用、高效的特点，在现代电力电子系统中扮演着不可或缺的角色。

STP3NK70ZFP
　　FQP3N70H
　　KSE3N70H
　　SIHF3N70E