类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：650V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：3A（@25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：12A
　　功耗（Pd）：50W
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值2.2Ω（@Vgs=10V）
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：约700pF（@Vds=25V）
　　输出电容（Coss）：约150pF
　　反向恢复时间（trr）：快速恢复
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220/TO-220F

3N65K MOSFET在高压功率转换应用中表现出卓越的电气与热性能。其最显著的特性之一是高达650V的漏源击穿电压，使其非常适合用于AC-DC转换器、离线式开关电源以及LED驱动电源等高压应用场景。在这些系统中，器件必须承受来自电网的瞬态高压和持续的高电压应力，而3N65K的设计确保了在额定条件下的长期可靠性。此外，该器件具有较低的导通电阻（Rds(on)），典型值约为2.2Ω，在Vgs=10V条件下可有效降低导通损耗，提升整体系统效率。这对于追求高能效的现代电源设计尤为重要。
　　另一个关键特性是其良好的开关速度。由于MOSFET属于电压控制型器件，其栅极驱动功率远低于双极型晶体管，因此可以实现高频开关操作，减少磁性元件的体积和重量，有利于电源小型化。3N65K的输入电容和输出电容均经过优化，能够在数十千赫兹至数百千赫兹的频率范围内高效工作。同时，其快速的反向恢复时间减少了体二极管在关断过程中的能量损耗，降低了电磁干扰（EMI）并提高了系统的稳定性。
　　从热管理角度来看，3N65K采用TO-220等标准封装，具备良好的热传导能力。在适当加装散热片的情况下，能够有效将内部产生的热量传递到外部环境，避免因温升过高而导致器件失效。其最大结温可达150℃，支持宽范围的工作环境温度，适用于工业级和部分严苛环境下的应用。此外，该器件具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或负载突变情况下提供一定程度的自我保护，增强了系统的鲁棒性。

3N65K广泛应用于各类中等功率的电力电子系统中。最常见的用途是作为主开关管在反激式（Flyback）或正激式（Forward）拓扑的开关电源中，特别是在20W至100W范围内的适配器、充电器和LED驱动电源中表现优异。其650V的耐压能力足以应对全球通用输入电压范围（85VAC~265VAC）下的峰值电压，同时具备足够的安全裕量以应对雷击或电网波动等异常情况。
　　在LED照明领域，3N65K可用于恒流驱动电路中，通过PWM调光或模拟调光方式精确控制LED亮度，实现高效节能。其快速开关特性有助于减少闪烁现象，提升照明质量。此外，在小型电机驱动系统中，如风扇、水泵或电动工具的控制模块，3N65K也可作为功率开关元件，实现对电机启停和转速的精确控制。
　　该器件还适用于DC-DC升压或降压变换器，尤其是在高压输入条件下，例如太阳能逆变器前端或工业电源模块。在这些应用中，3N65K与其他外围元件配合，构成高效的DC-AC或DC-DC转换电路。由于其封装标准化，易于焊接和维护，因此在批量生产和维修替换中也具有较高的便利性。

FQP3N65K, STP3NK60ZFP, KSP3N65K, 3N65, 3N65L