时间：2025/7/1 14:15:33
阅读：4
FN21X223J500PXG 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于开关电源、电机驱动和直流-直流转换等应用。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够在高效率和高可靠性要求的应用中表现优异。
该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET，能够支持较高的工作电压和电流，同时具备良好的热性能和电气性能。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：16A
导通电阻：0.07Ω
栅极电荷：45nC
开关时间：开态 80ns / 关态 45ns
功耗：200W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
FN21X223J500PXG 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，可有效降低传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关能力，适合高频应用场合，减少开关损耗。
3. 高耐压设计，确保在高压环境下稳定运行。
4. 内置 ESD 保护功能，提升器件的抗静电能力。
5. 小型化封装设计，便于在紧凑型电路板上使用。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
这款功率 MOSFET 主要应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和适配器。
2. 直流-直流转换器和升降压模块。
3. 电机驱动和控制电路。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 太阳能逆变器和储能系统。
6. 汽车电子中的 DC-DC 转换和电池管理。
IRF540N
STP16NF50
FDP18N50
