晶体类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：40V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　功耗（PD）：300mW
　　电流增益（hFE）：110 至 800（根据等级不同）
　　频率响应（fT）：100MHz
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOT23

3N1CXG7003FN-T2 晶体管具有多种优良特性，适用于广泛的电子设计应用。首先，其较高的电流增益（hFE）范围确保了在不同的偏置条件下都能提供出色的放大性能。此外，该晶体管的频率响应达到 100MHz，因此非常适合用于中高频的开关和放大应用。
　　其 SOT23 封装形式不仅节省空间，而且具备良好的热管理和机械稳定性，适用于高密度电路板设计。由于其最大集电极电流为 100mA，3N1CXG7003FN-T2 可以处理中等功率的应用，而不会出现过热问题。
　　此晶体管的集电极-发射极电压为 40V，使其能够承受较高的电压应力，适用于电源转换和稳压电路。此外，它具有较低的饱和电压（VCE(sat)），减少了功率损耗，提高了系统效率。最后，该器件可在-55°C 至 150°C 的宽温度范围内工作，适用于工业级和汽车级应用环境。

3N1CXG7003FN-T2 广泛应用于多种电子系统中。在电源管理领域，该晶体管可用于 DC-DC 转换器和负载开关，实现高效能的能量传输。在音频放大电路中，它能够提供稳定的增益和低噪声性能，适用于小型音频设备。此外，由于其高频特性，该晶体管常用于射频（RF）和数字开关电路，例如在微控制器控制的系统中作为信号放大器或驱动器使用。
　　汽车电子方面，3N1CXG7003FN-T2 可用于车身控制模块、传感器接口和 LED 驱动器。在工业自动化设备中，它适用于继电器驱动、马达控制和信号调理电路。此外，由于其紧凑的 SOT23 封装，该晶体管也广泛用于便携式电子产品，如智能手机、可穿戴设备和物联网（IoT）设备中的电源管理和信号放大模块。

BC847系列
　　2N3904
　　MMBT3904
　　2N4401