时间：2025/8/2 5:43:53
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WST3407 是一款由 Win Semiconductors（简称 WST）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件主要面向高效率、高功率密度的电源应用，如 DC-DC 转换器、同步整流、负载开关、电机控制和电池管理系统等。WST3407 采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)），从而降低了导通损耗并提高了整体效率。其封装形式通常为 SOP-8 或 TSSOP-8，适用于表面贴装工艺，符合 RoHS 环保标准。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：30V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：6A
导通电阻（Rds(on)）：@Vgs=10V 时 ≤28mΩ；@Vgs=4.5V 时 ≤40mΩ
功率耗散（Pd）：2.5W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：SOP-8 / TSSOP-8
WST3407 MOSFET 具备多项优异特性，使其在多种功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率，特别适合高频开关应用。其次，该器件支持高达 6A 的连续漏极电流，适用于中高功率负载管理。WST3407 的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗并提升响应速度。此外，其具备良好的热稳定性，结合 SOP-8 封装的散热设计，可以在较宽的工作温度范围内保持稳定性能。器件还具备较高的抗静电能力和良好的可靠性，适合工业级和汽车电子应用环境。
WST3407 还具备出色的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压条件下保持安全运行。该器件的栅极驱动电压范围较宽（通常在 4.5V 至 20V 之间），兼容多种驱动电路设计，包括低电压控制器和逻辑电平驱动器。同时，WST3407 在封装设计上采用了引脚优化布局，有助于降低寄生电感，提高高频开关性能。
WST3407 广泛应用于各类中高功率电子系统中，包括但不限于：高效 DC-DC 升压/降压转换器、同步整流电路、电池管理系统（BMS）、电动工具与无人机电源控制、电机驱动器、负载开关和热插拔电源管理模块。此外，该器件也适用于通信设备、服务器电源、LED 照明驱动器以及工业自动化控制系统等高性能应用场景。
Si2302DS, AO3400, FDS6675, IPD30N03LD
