3LN04CH 时间：2025/9/21 1:20:53 阅读：8

3LN04CH是一款由英飞凌（Infineon）公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、电机控制和开关电路等高效率功率转换场景。该器件采用先进的沟槽栅极技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、快速开关速度以及出色的热稳定性，适用于对功耗和空间有严格要求的现代电子设备。3LN04CH属于OptiMOS?产品系列，此系列专为优化低压应用中的能效而设计，在相同的封装尺寸下提供比传统MOSFET更低的传导损耗和开关损耗。
　　该器件通常用于DC-DC转换器、同步整流、负载开关、电池供电系统以及工业控制模块中。其紧凑的封装形式使其非常适合在高密度PCB布局中使用。此外，3LN04CH具备良好的抗雪崩能力和高可靠性，能够在恶劣的工作环境下保持稳定性能。器件符合RoHS环保标准，并支持无铅焊接工艺，满足现代电子产品对环境友好型元器件的要求。由于其优异的电气特性和坚固的设计，3LN04CH成为许多中低功率开关应用的理想选择之一。

参数

型号：3LN04CH
　　类型：N沟道MOSFET
　　系列：OptiMOS?
　　最大漏源电压（VDS）：40 V
　　最大连续漏极电流（ID）：19 A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：76 A
　　最大栅源电压（VGSS）：±20 V
　　导通电阻（RDS(on) max）：4.7 mΩ @ VGS=10V, 8.5 mΩ @ VGS=4.5V
　　栅极电荷（QG）：24 nC @ 10V
　　输入电容（Ciss）：1370 pF @ 25V
　　开启延迟时间（td(on)）：11 ns
　　关断延迟时间（td(off)）：26 ns
　　上升时间（tr）：22 ns
　　下降时间（tf）：15 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：PG-TSDSON-8
　　安装类型：表面贴装

特性

3LN04CH的核心优势在于其超低的导通电阻与优化的栅极电荷之间的平衡，这使得它在高频开关应用中表现出色。其RDS(on)仅为4.7mΩ（在VGS=10V时），显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统效率。这种低RDS(on)特性尤其适合大电流输出的同步整流拓扑结构，如Buck转换器或半桥电路，有助于减少发热并简化散热设计。同时，该器件采用了英飞凌独有的沟槽栅极技术，提升了单位面积内的载流能力，从而实现更小尺寸下更高的电流处理能力。
　　另一个关键特性是其快速的开关响应能力。典型栅极电荷Qg仅为24nC，配合较低的输入电容（1370pF），使得驱动电路所需提供的驱动功率大大降低，适用于由控制器或专用驱动IC直接驱动的应用场合。这对于提高电源系统的动态响应速度和降低驱动损耗至关重要。此外，较短的开关延迟时间和上升/下降时间（分别为11ns和26ns）确保了在数百kHz甚至MHz级别的开关频率下仍能维持高效运行。
　　热性能方面，PG-TSDSON-8封装具备优良的热导率，能够有效将芯片产生的热量传导至PCB，通过大面积铺铜即可实现良好的散热效果，无需额外添加复杂的散热装置。这不仅节省了成本，也减少了整体体积。器件的工作结温可达+175°C，展现出卓越的高温可靠性，适合在汽车电子、工业自动化等高温环境中长期运行。
　　安全性方面，3LN04CH具备较强的抗雪崩能力，能够承受一定的电压过冲和能量冲击，增强了系统的鲁棒性。其栅氧化层经过严格测试，保证在±20V的栅源电压范围内不会发生击穿，提高了使用安全性。此外，该器件通过AEC-Q101认证的可能性较高（需查证具体批次），适用于车载电源系统等对可靠性要求极高的应用场景。

应用

3LN04CH常用于各类高效直流电源系统中，例如服务器电源、通信设备电源模块、笔记本电脑适配器以及USB PD快充设计中的同步整流部分。其低导通电阻和快速开关特性使其成为Buck、Boost及Buck-Boost拓扑中理想的主开关或同步整流管。在电机驱动领域，该器件可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路，实现精确的速度与方向控制。此外，在电池管理系统（BMS）中，3LN04CH可作为充放电通路的控制开关，利用其低损耗特性延长电池续航时间。
　　工业自动化设备中，该MOSFET可用于PLC输出模块、继电器替代电路（固态开关）以及传感器供电控制单元。在消费类电子产品中，如智能家居控制板、便携式医疗设备和无人机电源管理单元中也有广泛应用。得益于其小型化封装和高功率密度，特别适合空间受限但需要高效率转换的嵌入式系统设计。汽车电子领域中，可用于车身控制模块（BCM）、车载照明驱动、车窗升降电机控制等非牵引类低压应用。