型号：RSS100N03TB
　　制造商：Renesas Electronics
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：30V
　　连续漏极电流ID（@25°C）：100A
　　脉冲漏极电流IDM：约280A
　　栅源电压VGS：±20V
　　导通电阻RDS(on) max（@VGS=10V）：0.75mΩ
　　导通电阻RDS(on) max（@VGS=4.5V）：1.1mΩ
　　栅极电荷Qg typ：约90nC
　　输入电容Ciss typ：约3500pF
　　开启延迟时间td(on) typ：约15ns
　　关断延迟时间td(off) typ：约30ns
　　二极管反向恢复时间trr typ：约25ns
　　工作结温范围Tj：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8L 或类似小型化表面贴装封装

RSS100N03TB采用瑞萨先进的沟槽栅极与场截止工艺技术，显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少传导损耗，提高系统效率。其超低RDS(on)值在VGS=10V时最大仅为0.75mΩ，在同类30V N沟道MOSFET中处于领先水平，特别适合大电流应用场景。该器件还具有较低的栅极电荷（Qg typ约为90nC），使得在高频开关操作中驱动功耗更低，有利于实现更高的开关频率而不牺牲效率。同时，输入电容Ciss典型值约为3500pF，进一步优化了开关响应速度，提升了动态性能。
　　RSS100N03TB具备出色的热稳定性和电流处理能力，额定连续漏极电流可达100A（在TC=25°C条件下），并通过内部结构优化有效控制温升。其封装设计支持高效的散热路径，适用于紧凑型高功率密度设计。器件的工作结温范围宽达-55°C至+175°C，能够在极端温度环境下可靠运行，适用于工业控制、车载电子等对环境适应性要求较高的领域。此外，该MOSFET内置的体二极管具有较短的反向恢复时间（trr typ约25ns），可有效抑制反向恢复引起的电压尖峰和电磁干扰，提升系统安全性与EMI性能。
　　该产品符合RoHS指令要求，无铅且绿色环保，适用于自动化贴片生产流程。其小型表面贴装封装（如PowerPAK SO-8L）不仅节省PCB空间，还能通过多点焊接增强机械强度和热传导性能。器件还具备良好的抗雪崩能力和一定的短路耐受能力，提高了在异常工况下的鲁棒性。总体而言，RSS100N03TB是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于追求极致效率与小型化的现代电源系统设计。

RSS100N03TB广泛应用于各类高效电源转换系统中，尤其适合作为同步整流器用于DC-DC降压或升压转换器，常见于服务器电源、通信设备电源模块以及笔记本电脑适配器等场景。其低导通电阻和快速开关特性使其在大电流输出条件下仍能保持高效率，显著降低能量损耗。该器件也常用于负载开关电路中，实现对不同功能模块的上电时序控制与电源管理，例如在移动终端和平板电脑中用于控制显示屏、外设接口的供电通断。
　　在电机驱动应用中，RSS100N03TB可用于H桥或半桥拓扑结构中的低端或高端开关，驱动直流有刷电机或步进电机，广泛应用于打印机、扫描仪、家用电器和工业自动化设备中。由于其具备较高的电流承载能力和良好的热性能，也可用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，保障锂电池组的安全运行。
　　此外，该MOSFET还可用于热插拔控制器、OR-ing电路、UPS不间断电源以及光伏逆变器中的辅助电源部分。在汽车电子领域，尽管非专门车规级认证型号可能受限，但其高性能参数仍可用于部分车载信息娱乐系统或辅助电源模块的设计验证阶段。总体来看，任何需要低RDS(on)、高电流密度和高效率开关性能的应用场合，都是RSS100N03TB的理想选择。

IPB010N03LG
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