时间：2025/6/18 12:56:31
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3EZ68D5是一种高性能的功率MOSFET晶体管，主要用于高频开关应用和功率转换电路中。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和高效率的特点，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等领域。
该器件能够在较高的频率下工作，同时保持较低的开关损耗，这使得它在现代电子设备中的应用非常广泛。
型号：3EZ68D5
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vdss)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：40A
导通电阻(Rds(on))：4mΩ
总功耗(Ptot)：190W
结温范围(Tj)：-55°C to +175°C
封装形式：TO-247
3EZ68D5具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻Rds(on)，有助于降低传导损耗并提高整体效率。
2. 快速的开关速度，适合高频操作环境。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的耐用性。
4. 较宽的工作温度范围，适用于恶劣的环境条件。
5. 具备良好的热稳定性和电气性能，确保长时间稳定运行。
该器件适用于多种功率转换和控制场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)设计中的功率级开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关元件。
3. 各类电机驱动应用，例如步进电机、无刷直流电机等。
4. 太阳能逆变器和不间断电源(UPS)系统中的功率模块。
5. 工业自动化设备中的负载切换和保护功能。
IRF540N, FDP5570N
